[发明专利]清洁溶液、清洁半导体基板的方法以及制造半导体装置的方法

说明书

一种清洁溶液包括：具有25δ_d13、25δ_p3、及30δ_h4的Hansen溶解度参数的第一溶剂；具有‑11pKa4的酸解离常数的酸、或具有40pKa9.5的酸解离常数的碱；及界面活性剂。界面活性剂为离子界面活性剂、聚环氧乙烷及聚环氧丙烷、非离子界面活性剂、及组合中的一或多者。离子界面活性剂选自由以下组成的群组:R为经取代或未经取代脂族、脂环、或芳族基团，并且非离子界面活性剂具有A‑X或A‑X‑A‑X结构，A为未经取代或经氧或卤素取代、分支或无分支、环状或非环状、饱和C2‑C100脂族或芳族基团，并且X包括选自以下的极性官能基：–OH、＝O、‑S‑、‑P‑、‑P(O₂)、‑C(＝O)SH、‑C(＝O)OH、‑C(＝O)OR‑、‑O‑；‑N‑、‑C(＝O)NH、‑SO₂OH、‑SO₂SH、‑SOH、‑SO₂‑、‑CO‑、‑CN‑、‑SO‑、‑CON‑、‑NH‑、‑SO₃NH‑、SO₂NH。

技术领域

本揭露是关于一种清洁溶液、一种清洁半导体基板的方法以及一种制造半导体装置的方法。

背景技术

半导体集成电路(integrated circuit，IC)行业经历了快速的增长。IC材料及设计方面的技术进步已经产生了几代IC，其中每一代都比上一代具有更小、更复杂的电路。然而，此等进步增加了IC加工及制造的复杂性，并且要实现此等进步，需要IC加工及制造的类似发展。在集成电路发展的过程中，功能密度(亦即，每芯片面积的互连装置的数量)通常增加，而几何尺寸(亦即，可以使用制造过程产生的最小部件(或接线))减小。

随着半导体装置尺寸不断缩小，例如在20纳米(nm)节点以下，传统光刻技术具有光学限制，从而导致解析度问题，并且可能无法达成所需的光刻性能。相比之下，极紫外光(extreme ultraviolet；EUV)光刻可以达成更小的装置尺寸。然而，习知EUV光刻仍然具有一些缺点，例如，关于EUV光吸收及/或由含金属材料引起的污染的缺点。结果，可能损害或降低半导体制造性能。

因此，尽管用于执行EUV光刻的现有系统及方法通常已经足以满足其预期目的，但是它们并非在每个方面都完全令人满意的。

发明内容

本揭露一实施例是提供一种清洁溶液。此清洁溶液包含第一溶剂、酸或碱以及界面活性剂。第一溶剂具有25δ_d13、25δ_p3、及30δ_h4的Hansen溶解度参数。所述酸具有-11pKa4的酸解离常数，且所述碱具有40pKa9.5的酸解离常数。界面活性剂为离子界面活性剂、聚环氧乙烷和聚环氧丙烷、非离子界面活性剂及其组合，其中离子界面活性剂为选自由以下组成的群的一或多者:

其中R为一经取代或未经取代脂族、脂环、或芳族基团，并且非离子界面活性剂具有A-X或A-X-A-X结构，其中A为一未经取代或经氧或卤素取代、分支或无分支、环状或非环状、饱和C2-C100脂族或芳族基团，并且X包括选自由以下组成的群的一或多种极性官能基：–OH、＝O、-S-、-P-、-P(O₂)、-C(＝O)SH、-C(＝O)OH、-C(＝O)OR-、-O-；-N-、-C(＝O)NH、-SO₂OH、-SO₂SH、-SOH、-SO₂-、-CO-、-CN-、-SO-、-CON-、-NH-、-SO₃NH-及SO₂NH。