[发明专利]灯源驱动电路在审
申请号: | 202010271005.3 | 申请日: | 2020-04-08 |
公开(公告)号: | CN113498242A | 公开(公告)日: | 2021-10-12 |
发明(设计)人: | 吴志祥 | 申请(专利权)人: | 苏州佳世达光电有限公司;佳世达科技股份有限公司 |
主分类号: | H05B47/20 | 分类号: | H05B47/20;H05B47/23;H05B45/50;H05B45/54;H05B45/3725;H02H7/12;H02H3/24 |
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地址: | 215011 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 驱动 电路 | ||
1.一种灯源驱动电路,用以驱动灯源,其特征在于,该灯源驱动电路包括:
低电压保护电路;
控制电路,耦接该低电压保护电路;以及
驱动晶体管,耦接至该控制电路,受控于该控制电路以驱动该灯源,
其中,该低电压保护电路侦测操作电压,当操作电压低于门限值,该低电压保护电路输出致能信号,该控制电路接收该致能信号使得该控制电路关闭,并关闭该驱动晶体管。
2.如权利要求1所述的灯源驱动电路,其特征在于,如果该低电压保护电路侦测到该操作电压高于该门限值,则该低电压保护电路将该致能信号拉高,以使得控制电路正常操作且正常驱动该驱动晶体管。
3.如权利要求1所述的灯源驱动电路,其特征在于,该低电压保护电路包括:
萧特基二极管,
分压电路,耦接至该萧特基二极管;
第一BJT晶体管,耦接至该萧特基二极管;
第二BJT晶体管,耦接至该第一BJT晶体管;
其中,该萧特基二极管通过该分压电路耦接至该操作电压;
当该操作电压高于该门限值时,该萧特基二极管导通,该分压电路的分压电压使得该第一BJT晶体管为导通,且该第二BJT晶体管为不导通,使得该致能信号为逻辑高,响应于该致能信号为逻辑高,该控制电路为正常操作。
4.如权利要求3所述的灯源驱动电路,其特征在于,当该操作电压低于该门限值时,该分压电路的该分压电压使得该第一BJT晶体管为不导通,且该第二BJT晶体管为导通,使得该致能信号被拉低为逻辑低,响应于该致能信号为逻辑低,该控制电路被关闭,以关闭该驱动晶体管。
5.如权利要求1所述的灯源驱动电路,其特征在于,该低电压保护电路包括:
硅控整流器,
分压电路,耦接至该硅控整流器与该操作电压;以及
第三BJT晶体管,耦接至该硅控整流器,
其中,当该操作电压高于该门限值时,该分压电路的分压电压使得该硅控整流器为导通,且将该第三BJT晶体管为不导通,该致能信号为逻辑高,响应于该致能信号为逻辑高,该控制电路为正常操作。
6.如权利要求5所述的灯源驱动电路,其特征在于,当该操作电压低于该门限值时,该分压电路的该分压电压使得该硅控整流器为不导通,且使得该第三BJT晶体管为导通,该致能信号为逻辑低,使得该控制电路被关闭,且关闭该驱动晶体管。
7.如权利要求1所述的灯源驱动电路,其特征在于,该低电压保护电路包括:
比较器,耦接至该操作电压;
分压电路,耦接至该比较器与参考电压;以及
第四BJT晶体管,耦接至该比较器,
其中,当该操作电压高于该门限值时,该比较器比较该操作电压与该分压电路的分压电压并输出一比较器输出信号,使得该第四BJT晶体管为不导通,该致能信号为逻辑高,使得该控制电路为正常操作。
8.如权利要求7所述的灯源驱动电路,其特征在于,当该操作电压低于该门限值时,该比较器比较该操作电压与该分压电路的该分压电压以输出该比较器输出信号,使得该第四BJT晶体管为导通,该致能信号为逻辑低,使得该控制电路被关闭,以关闭该驱动晶体管。
9.如权利要求1所述的灯源驱动电路,其特征在于,该控制电路接收PWM讯号控制该驱动晶体管开启或关闭,对应该灯源开启或关闭。
10.如权利要求1所述的灯源驱动电路,其特征在于,该操作电压驱动该控制电路且该控制电路提供控制电压给该驱动晶体管,该控制电压正相关于该操作电压。
11.如权利要求1所述的灯源驱动电路,其特征在于,当该驱动晶体管关闭时,该灯源为开路。
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