[发明专利]阵列基板及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板具有一绑定区，所述阵列基板包括第一导电层、第二导电层以及设置于所述第一导电层和所述第二导电层之间的绝缘层，

所述第一导电层包括位于所述绑定区的至少两个并排设置的第一导电构件；

所述第二导电层包括位于所述绑定区的至少两个第二导电构件，每个所述第二导电构件与每个所述第一导电构件对应设置且电性连接，每个所述第二导电构件与对应的所述第一导电构件接触，至少两个相邻的所述第二导电构件与至少两个相邻的所述第一导电构件通过所述绝缘层上的同一个导通孔电连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，每个所述第二导电构件在所述阵列基板上的正投影位于所述导通孔在所述阵列基板的正投影内。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述导通孔沿所述第一导电构件的长度方向的尺寸小于或等于所述第一导电构件的长度。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导电构件的宽度等于与所述第一导电构件对应且电连接的所述第二导电构件的宽度。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括多个引脚，每个所述引脚包括一个所述第一导电构件和与所述第一导电构件电连接的一个所述第二导电构件，

多个所述引脚包括用于输入时钟信号的第一引脚以及用于输入低频信号的第二引脚，所述第二引脚设置于所述第一引脚的相对两侧，或/和，

多个所述引脚包括用于输入数据信号的第三引脚。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导电层的制备材料选自钼、铝、钛、铜中的至少一种，所述第二导电层的制备材料为氧化铟锡或氧化铟锌。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层的厚度为1000埃-6000埃，所述绝缘层的制备材料选自氮化硅以及氧化硅中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括绑定件，所述绑定件绑定于所述绑定区，所述绑定件包括多个导电端子，每个所述导电端子与一个所述第二导电构件电连接。

9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，相邻两个所述第二导电构件之间的间隙宽度为6微米-12微米，每个所述第二导电构件的宽度为50微米-150微米，每个所述第二导电构件的长度为400微米-800微米。

10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1-9任一项所述的阵列基板。