[发明专利]半导体裸片和半导体晶圆在审
申请号: | 202010272747.8 | 申请日: | 2020-04-09 |
公开(公告)号: | CN112447539A | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | 金泰孝;金灿镐;边大锡 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G11C29/00 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘美华;韩芳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 | ||
1.一种半导体裸片,所述半导体裸片包括:
第一垫;
开关,分别与第一垫电连接;
测试信号产生器,被配置为产生测试信号并且将测试信号发送到开关;
内部电路,被配置为通过第一垫和开关接收第一信号,基于第一信号执行操作,并且基于操作的结果通过开关和第一垫输出第二信号;以及
开关控制器,被配置为控制开关,使得在测试操作期间第一垫与测试信号产生器连通,并且使得在完成测试操作之后第一垫与内部电路连通。
2.根据权利要求1所述的半导体裸片,其中,从测试信号产生器发送到开关的测试信号是相同电平的电压或相同量的电流。
3.根据权利要求1所述的半导体裸片,所述半导体裸片还包括:
第二垫,与测试信号产生器电连接,
其中,测试信号产生器被配置为根据通过第二垫接收的测试命令来发送测试信号。
4.根据权利要求1所述的半导体裸片,所述半导体裸片还包括:
第二垫,被配置为在测试操作中向测试信号产生器和开关控制器供应电力。
5.根据权利要求1所述的半导体裸片,其中,开关控制器包括激光熔丝,
其中,当激光熔丝处于连接状态时,开关控制器控制开关使得测试信号产生器和第一垫彼此连通;
其中,当激光熔丝处于断开状态时,开关控制器控制开关使得内部电路和第一垫彼此连通。
6.根据权利要求1所述的半导体裸片,其中,开关控制器包括电熔丝,
其中,当电熔丝处于第一状态时,开关控制器控制开关使得测试信号产生器和第一垫彼此连通;
其中,当电熔丝处于第二状态时,开关控制器控制开关使得内部电路和第一垫彼此连通。
7.根据权利要求1所述的半导体裸片,所述半导体裸片还包括:
第二垫,与内部电路直接连接。
8.根据权利要求1所述的半导体裸片,其中,第一垫沿第一方向成行设置,并且第一垫之间的间隔沿第一方向逐渐增大或减小。
9.根据权利要求1所述的半导体裸片,其中,第一垫之中的至少两个最靠近的垫之间的间隔小于所述至少两个最靠近的垫中的每个垫的宽度。
10.根据权利要求1所述的半导体裸片,其中,内部电路包括与串选择线、字线、地选择线和位线电连接的存储器单元,并且
其中,串选择线、字线、地选择线和位线中的至少一些通过开关而与第一垫电连接。
11.根据权利要求1所述的半导体裸片,所述半导体裸片还包括:
第二垫和第三垫,被配置为与外部装置连通,并且
其中,内部电路包括:
缓冲器块,被配置为通过第二垫从外部装置接收行地址、列地址和命令,并且通过第二垫而与外部装置交换读取数据或写入数据;
行解码器块,与串选择线、字线、地选择线电连接,并且被配置为从缓冲器块接收行地址并且基于行地址调整串选择线、字线和地选择线的电压;
页缓冲器块,与位线电连接,并且被配置为在写入操作中基于存储在页缓冲器块中的写入数据来调整位线的电压,并且在读取操作中将其中位线的电压存储为读取数据;
数据输入和输出块,电连接在页缓冲器块与缓冲器块之间,并且被配置为从缓冲器块接收列地址,并且基于列地址在页缓冲器块与缓冲器块之间交换写入数据和读取数据;以及
控制逻辑块,被配置为:通过第三垫从外部装置接收控制信号,从缓冲器块接收命令,并且基于所述命令和控制信号控制写入操作和读取操作。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造