[发明专利]平弯配套双银镀膜玻璃及其制备方法

权利要求书

1.一种平弯配套双银镀膜玻璃，包括玻璃基片及设于所述玻璃基片表面的膜层结构，其特征在于，所述膜层结构自所述玻璃基片向外依次包括：第一电介质组合层、第一银层、第一阻挡保护层、第一晶床介质层、第二电介质组合层、SiOx层、第三电介质组合层、第二银层、第二阻挡保护层、第二晶床介质层及第四电介质组合层，所述SiOx层的厚度为1-50nm。

2.如权利要求1所述的平弯配套双银镀膜玻璃，其特征在于，所述第一电介质组合层自所述玻璃基片向外依次为：ZnO层Ⅰ、SiNx层Ⅰ和ZnO层Ⅱ，所述ZnO层Ⅰ和所述ZnO层Ⅱ的厚度均小于所述SiNx层Ⅰ的厚度。

3.如权利要求1所述的平弯配套双银镀膜玻璃，其特征在于，所述第一银层的厚度小于所述第二银层的厚度。

4.如权利要求1所述的平弯配套双银镀膜玻璃，其特征在于，所述第一阻挡保护层为NiCr层Ⅰ，所述第二阻挡保护层为NiCr层Ⅱ，所述第一阻挡保护层厚度为3-6nm，所述第二阻挡保护层厚度为4-8nm。

5.如权利要求1所述的平弯配套双银镀膜玻璃，其特征在于，所述第一晶床介质层为AZO层Ⅰ，所述第二晶床介质层为AZO层Ⅱ，所述第一晶床介质层及所述第二晶床介质层的厚度均为3-6nm。

6.如权利要求2所述的平弯配套双银镀膜玻璃，其特征在于，所述第二电介质组合层自所述玻璃基片向外依次为：SiNx层Ⅱ和ZnSnO层Ⅰ；所述第三电介质组合层自所述玻璃基片向外依次为：ZnSnO层Ⅱ和ZnO层Ⅲ，所述SiNx层Ⅱ、所述ZnSnO层Ⅰ及所述ZnSnO层Ⅱ的厚度均大于所述ZnO层Ⅲ的厚度。

7.如权利要求6所述的平弯配套双银镀膜玻璃，其特征在于，所述第四电介质组合层为SiNx层Ⅲ，且所述SiNx层Ⅲ的厚度大于所述SiNx层Ⅰ的厚度和所述SiNx层Ⅱ的厚度。

8.如权利要求1所述的平弯配套双银镀膜玻璃，其特征在于，所述膜层结构的厚度为190-275nm。

9.一种平弯配套双银镀膜玻璃的制备方法，采用真空磁控溅射镀膜技术实现，其特征在于，包括以下步骤：

(1)于玻璃基片表面依次溅射ZnO层Ⅰ、SiNx层Ⅰ和ZnO层Ⅱ，靶材料分别为锌铝合金靶、硅铝合金靶和锌铝合金靶，所述ZnO层Ⅰ和所述ZnO层Ⅱ于氩氧氛围中溅射，所述SiNx层Ⅰ于氩氮氛围中溅射；

(2)于所述ZnO层Ⅱ表面依次溅射第一银层、NiCr层Ⅰ和AZO层Ⅰ，靶材料分别为银靶、镍铬靶和氧化锌铝靶，且均于纯氩氛围中溅射；

(3)于所述AZO层Ⅰ表面依次溅射SiNx层Ⅱ、ZnSnO层Ⅰ、SiOx层、ZnSnO层Ⅱ和ZnO层Ⅲ，靶材料分别为硅铝合金靶、锌锡合金靶、硅铝合金靶、锌锡合金靶及锌铝合金靶，所述SiNx层Ⅱ于氩氮氛围中溅射，所述ZnSnO层Ⅰ、SiOx层、ZnSnO层Ⅱ和ZnO层Ⅲ于氩氧氛围中溅射；

(4)于所述ZnO层Ⅲ表面依次溅射第二银层、NiCr层Ⅱ和AZO层Ⅱ，靶材料分别为银靶、镍铬靶和氧化锌铝靶，且均于纯氩氛围中溅射；

(5)于所述AZO层Ⅱ表面溅射SiNx层Ⅲ，靶材料为硅铝合金靶，且于氩氮氛围中溅射。

10.如权利要求9所述的平弯配套双银镀膜玻璃的制备方法，其特征在于，所述第一银层和所述第二银层的制备中，电源类型采用直流，阴极类型采用平面靶；所述ZnO层Ⅰ、所述SiNx层Ⅰ、所述ZnO层Ⅱ、所述NiCr层Ⅰ、所述AZO层Ⅰ、所述SiNx层Ⅱ、所述ZnSnO层Ⅰ、所述SiOx层、所述ZnSnO层Ⅱ、所述ZnO层Ⅲ、所述NiCr层Ⅱ、所述AZO层Ⅱ、所述SiNx层Ⅲ的制备中，电源类型采用交流，阴极类型采用旋转靶。