[发明专利]多带电粒子束描绘装置以及多带电粒子束描绘方法

说明书

本发明的实施方式涉及多带电粒子束描绘装置及多带电粒子束描绘方法。实施方式的多带电粒子束描绘装置具备：测定部，基于多束的各束的束电流或者从设置于载置台的反射标记反射的带电粒子的强度，测定所述多束的第1束形状；调整部，基于所述第1束形状，计算出所述多束的缩小率及旋转角的调整量；校正映射制作部，根据基于所述调整量的束形状与所述第1束形状的差量，制作规定了所述多束的各束的位置偏移量的第1校正映射；描绘数据处理部，对描绘数据进行变换，生成定义了各束的照射量的发射数据，基于所述第1校正映射，校正在所述发射数据中定义的各束的照射量；以及控制部，基于所述调整量，控制所述多束的缩小率及旋转角。

技术领域

本发明涉及多带电粒子束描绘装置以及多带电粒子束描绘方法。

背景技术

伴随LSI的高集成化，半导体器件中要求的电路线宽逐年微细化。为了对半导体器件形成所希望的电路图案，采用如下方法：使用缩小投影式曝光装置，将在石英上所形成的高精度的原图图案(掩模、或者尤其是在步进曝光装置、扫描器中使用的原图图案也被称为中间掩模。)缩小转印到晶片上。高精度的原图图案通过电子束描绘装置来描绘，并使用所谓的电子束光刻技术。

使用了多束的描绘装置，与用1条电子束进行描绘的情况相比，能够一次照射很多束，因此能够大幅提高吞吐量。在多束方式的描绘装置中，例如，使从电子枪发射的电子束通过具有多个开口的孔径部件而形成多束，进行各束的消隐控制，未被遮蔽的各束被光学系统缩小，照射到载置于能够移动的载置台上的基板。

多束方式的描绘装置具有使束偏转并决定基板上的束照射位置的主偏转器及副偏转器。利用主偏转器将多束整体定位在基板上的规定的位置，利用副偏转器以填埋束间距的方式偏转。

在这样的多束方式的描绘装置中，一次性照射多个束，将在孔径部件的相同的开口或不同的开口通过而形成的束彼此连接，描绘所希望的图形形状的图案。由于照射到基板上的多束整体像的形状(以下，有时也记载为“束形状”)表现为描绘图形的连接精度，因此多束整体像的缩小率(伸缩率)、畸变的调整很重要。

束形状能够通过依次切换接通(on)的束并扫描载置台上的反射标记来检测反射电子并计算各束的位置而进行测定。以往，基于测定出的束形状，通过镜头的励磁调整、束对准，来进行束调整以成为所希望的缩小率、旋转角。在该束调整中，未完全校正的从理想形状的偏差(2次以上的畸变成分)作为校正映射而被数据文件化。

然后，以束形状成为理想形状的方式，基于校正映射调整剂量，在掩模上描绘图案。但是，若对描绘在掩模上的图案进行测定、解析，则有时存在从理想形状的偏差(校正剩余)。

在将根据描绘结果得到的校正剩余直接原样加于校正映射中的情况下，剂量校正量变大，描绘时间变长，有时吞吐量下降。

发明内容

本发明提供能够抑制照射量的校正量、提高生产率并高精度地进行描绘的多带电粒子束描绘装置以及多带电粒子束描绘方法。

本发明的一个方式的多带电粒子束描绘装置，具备：成形孔径阵列部件，形成有多个开口，带电粒子束在所述多个开口通过从而形成多束；消隐孔径阵列部件，配置有切换所述多束中的各个对应的束的接通/断开的多个消隐器；载置台，载置被照射所述多束的基板；测定部，基于所述多束的各束的束电流或者从设置于所述载置台的反射标记反射的带电粒子的强度，测定所述多束的第1束形状；调整部，基于所述测定部测定出的所述第1束形状，计算出所述多束的缩小率及旋转角的调整量；校正映射制作部，根据基于所述调整量的束形状与所述第1束形状的差量，求出所述多束的各束的位置偏移量，制作规定了所述位置偏移量的第1校正映射；描绘数据处理部，对定义了要描绘的图形图案的信息的描绘数据进行变换，生成定义了所述多束的各束的照射量的发射数据，基于所述第1校正映射，校正在所述发射数据中定义的各束的照射量；以及控制部，基于所述调整量，控制所述多束的缩小率及旋转角。

附图说明