[发明专利]一种用于制备黑组件太阳能电池正膜的制备方法

权利要求书

1.一种用于制备黑组件太阳能电池正膜的制备方法，包括步骤一，电池片前处理：将所述电池片装入石墨舟中，并送入沉积炉管内；

其特征在于：步骤二，正面制备高折氮氧化硅膜：在沉积炉管中进行所述氮氧化硅膜的沉积，沉积温度为400至500摄氏度，射频功率为8至10千瓦，占空比为1:20至1:25，炉管压力为1400至1600毫托，所述氮氧化硅膜的沉积气体四氢化硅、氨气、一氧化二氮的流量比为1:2:0.2至1:3:0.4，沉积时间为20至40秒；

步骤三，正面制备三层氮化硅膜：在沉积炉管中进行下层氮化硅膜、中层氮化硅膜和上层氮化硅膜的沉积，沉积温度为400至500摄氏度，射频功率为8至10千瓦，占空比为1:10至1:15，炉管压力为1400至1800毫托；所述下层氮化硅膜的沉积气体四氢化硅与氨气流量比为0.3:1至0.25:1，沉积时间为70至90秒；所述中层氮化硅膜的沉积气体四氢化硅与氨气流量比为0.22:1至0.18:1，沉积时间为80至100秒；所述上层氮化硅膜的沉积气体四氢化硅与氨气流量比为0.10:1至0.07:1，沉积时间为140至180秒；

步骤四，正面制备低折氮氧化硅膜：在沉积炉管中进行所述氮氧化硅膜的沉积，沉积温度为400至500摄氏度，射频功率为8至10千瓦，占空比为1:20至1:25，炉管压力为1400至1600毫托，所述氮氧化硅膜的沉积气体四氢化硅、氨气、一氧化二氮的流量比为1:1.5:7至1:1.7:9，沉积时间为160至200秒；

步骤五，正面制备氧化硅膜：在沉积炉管中进行所述氧化硅膜的沉积，沉积温度为400至500摄氏度，射频功率为8至10千瓦，占空比为1:20至1:25，炉管压力为1400至1600毫托，所述氮氧化硅膜的沉积气体四氢化硅与一氧化二氮的流量比为1:10至1:15，沉积时间为100至140秒。

2.根据权利要求1所述的用于制备黑组件太阳能电池正膜的制备方法，其特征在于：所述氮化硅膜的总膜厚为26至38纳米，所述氮化硅膜的总折射率为2.10至2.20。

3.根据权利要求1或2所述的用于制备黑组件太阳能电池正膜的制备方法，其特征在于：高折射率氮氧化硅膜层的厚度为3至7纳米、折射率为2.5至2.3。

4.根据权利要求3所述的用于制备黑组件太阳能电池正膜的制备方法，其特征在于：低折射率氮氧化硅膜层的厚度为20至30纳米、折射率为1.9至2.1。

5.根据权利要求4所述的用于制备黑组件太阳能电池正膜的制备方法，其特征在于：氧化硅膜层的厚度的厚度为13至20纳米、折射率为1.4至1.6。

6.根据权利要求5所述的用于制备黑组件太阳能电池正膜的制备方法，其特征在于：高折氮氧化硅膜、氮化硅膜、低折氮氧化硅膜和氧化硅膜相加的总膜厚为62纳米至95纳米，折射率为1.85至2.10，膜色为暗蓝色。