[发明专利]一种用于制备黑组件太阳能电池正膜的制备方法

说明书

本发明涉及一种用于制备黑组件太阳能电池正膜的制备方法。它包括电池片前处理、正面制备高折氮氧化硅膜、正面制备三层氮化硅膜、正面制备低折氮氧化硅膜和正面制备氧化硅膜。通过本发明制备的电池片正面形成有包含高折氮氧化硅膜、氮化硅膜、低折氮氧化硅膜和氧化硅膜的复合膜层结构，每层介质膜的膜厚和折射率进行匹配性设计，很好的增加太阳光的吸收，达到理想的陷光效果，而且底层的氮氧化硅膜折射率较大，具有优异的钝化作用，同时提升了太阳能电池的抗PID性能。

技术领域

本发明涉及一种太阳能电池正膜的制备方法，尤其是涉及一种用于制备黑组件太阳能电池正膜的制备方法。

背景技术

太阳能作为一种高效、无污染的可再生资源，目前已逐渐被各行各业所利用，国家也正在大力支持光伏扶贫等项目。近几年，分布式光伏系统得到迅速发展，由于人们对屋顶外观的要求，黑色组件在分布式光伏系统占有重要的位置，亦有不少地方政府为维护观光景点的历史建筑、整体景观完整性而推行了景观条例，规定只能使用黑色的太阳能组件。

目前主流的晶硅电池制造工艺所制备的太阳能电池在组件层压后膜色发蓝，无法满足人们对组件美学外观的要求，急迫需要改变现有的电池片膜色结构，满足市场需求。

发明内容

本发明提供了一种用于制备黑组件太阳能电池正膜的制备方法；解决现有技术中存在太阳能电池在组件层压后膜色发蓝而无法满足人们对组件美学外观的要求的问题。

本发明的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：一种用于制备黑组件太阳能电池正膜的制备方法，包括步骤一，电池片前处理：将所述电池片装入石墨舟中，并送入沉积炉管内；

其特征在于：步骤二，正面制备高折氮氧化硅膜：在沉积炉管中进行所述氮氧化硅膜的沉积，沉积温度为400至500摄氏度，射频功率为8至10千瓦，占空比为1:20至1:25，炉管压力为1400至1600毫托，所述氮氧化硅膜的沉积气体四氢化硅、氨气、一氧化二氮的流量比为1:2:0.2至1:3:0.4，沉积时间为20至40秒；

步骤三，正面制备三层氮化硅膜：在沉积炉管中进行下层氮化硅膜、中层氮化硅膜和上层氮化硅膜的沉积，沉积温度为400至500摄氏度，射频功率为8至10千瓦，占空比为1:10至1:15，炉管压力为1400至1800毫托；所述下层氮化硅膜的沉积气体四氢化硅与氨气流量比为0.3:1至0.25:1，沉积时间为70至90秒；所述中层氮化硅膜的沉积气体四氢化硅与氨气流量比为0.22:1至0.18:1，沉积时间为80至100秒；所述上层氮化硅膜的沉积气体四氢化硅与氨气流量比为0.10:1至0.07:1，沉积时间为140至180秒；由于形成下层氮化硅膜、中层氮化硅膜和上层氮化硅膜的沉积时间以及沉积气体的比例不同，使三层氮化硅膜的厚度、折射率均不相同，厚度关系为：下层氮化硅膜＜中层氮化硅膜＜上层氮化硅膜；折射率关系为：下层氮化硅膜＞中层氮化硅膜＞上层氮化硅膜。

步骤四，正面制备低折氮氧化硅膜：在沉积炉管中进行所述氮氧化硅膜的沉积，沉积温度为400至500摄氏度，射频功率为8至10千瓦，占空比为1:20至1:25，炉管压力为1400至1600毫托，所述氮氧化硅膜的沉积气体四氢化硅、氨气、一氧化二氮的流量比为1:1.5:7至1:1.7:9，沉积时间为160至200秒；

步骤五，正面制备氧化硅膜：在沉积炉管中进行所述氧化硅膜的沉积，沉积温度为400至500摄氏度，射频功率为8至10千瓦，占空比为1:20至1:25，炉管压力为1400至1600毫托，所述氮氧化硅膜的沉积气体四氢化硅与一氧化二氮的流量比为1:10至1:15，沉积时间为100至140秒。

作为优选，所述氮化硅膜的总膜厚为26至38纳米，所述氮化硅膜的总折射率为2.10至2.20。

作为优选，高折射率氮氧化硅膜层的厚度为3至7纳米、折射率为2.5至2.3。