[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

第一衬底；

第二衬底，设置于所述第一衬底上；

第一组件结构层，设置于所述第一衬底与所述第二衬底之间；

第二组件结构层，设置于所述第二衬底与所述第一组件结构层之间；

第一介电层，设置于所述第一组件结构层与所述第二组件结构层之间；

第二介电层，设置于所述第二衬底上；

硅穿孔结构，设置于所述第二介电层、所述第二衬底、所述第二组件结构层与所述第一介电层中，且与所述第一组件结构层电性连接；

连接垫，设置于所述第二介电层的表面处，且与所述硅穿孔结构连接；

第一衬层，至少设置于所述硅穿孔结构与所述第二介电层、所述第二衬底以及所述第二组件结构层之间；以及

第二衬层，设置于所述第一衬层上，且位于所述硅穿孔结构的上部与所述第二介电层以及部分所述第二衬底之间。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二衬层自所述第二介电层延伸至与所述第二衬底部分重叠。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一衬层延伸至所述第一介电层中。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一衬层的材料与所述第二衬层的材料相同。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一衬层的材料与所述第二衬层的材料不同。

6.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供第一衬底，其中所述第一衬底上已形成有第一组件结构层；

提供第二衬底，其中所述第二衬底上已形成有第二组件结构层；

通过第一介电层，以所述第一组件结构层与所述第二组件结构层彼此面对的方式接合所述第一衬底与所述第二衬底；

于所述第二衬底上形成第二介电层；

所述第二介电层、所述第二衬底、所述第二组件结构层与所述第一介电层中形成硅穿孔结构，其中所述硅穿孔结构与所述第一组件结构层电性连接；

至少于所述硅穿孔结构与所述第二介电层、所述第二衬底以及所述第二组件结构层之间形成第一衬层；

于所述第一衬层上形成第二衬层，其中所述第二衬层位于所述硅穿孔结构的上部与所述第二介电层以及部分所述第二衬底之间；以及

于所述第二介电层的表面处形成连接垫，其中所述连接垫与所述硅穿孔结构连接。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第二衬层自所述第二介电层延伸至与所述所述第二衬底部分重叠。

8.根据权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第一衬层延伸至所述硅穿孔结构与所述第一介电层之间。

9.根据权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述硅穿孔结构、所述第一衬层、所述第二衬层与所述连接垫的形成方法包括：

至少于所述第二介电层、所述第二衬底与第二组件结构层中形成开孔；

于所述开孔的侧壁上形成第一衬材料层；

形成图案化光刻胶层，其中所述图案化光刻胶层暴露出所述开孔以及所述开孔周围的部分所述第一衬材料层，且部分地填入所述开孔中；

于图案化光刻胶层与所述第一衬材料层上形成第二衬材料层；

以所述图案化光刻胶层作为罩幕来进行各向异性蚀刻工艺，移除部分所述第一衬材料层、部分所述第二衬材料层与部分所述第二介电层，以于所述第二介电层中形成凹槽，且保留部分所述第一衬材料层于所述开孔的侧壁与底部上以及保留部分所述第二衬材料层于所述第一衬材料层上；

移除所述图案化光刻胶层；

移除所述第二介电层的顶面上与所述开孔的底部处的所述第一衬材料层，以及移除所述开孔下方的所述第一介电层以暴露出部分所述第一组件结构层；以及

于所述开孔与所述凹槽中形成导电层。

10.根据权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在接合所述第一衬底与所述第二衬底之后以及在形成所述第二介电层之前，还包括减小所述第二衬底的厚度。