[发明专利]阵列基板及其制备方法和触控液晶显示装置

权利要求书

1.一种制备阵列基板的方法，其特征在于，包括：

在阵列基板(100)的基底(110)上的显示像素区(SP1)和光敏像素区(SP2)同步形成开关薄膜晶体管(10)和光敏薄膜晶体管(20)；

在所述开关薄膜晶体管(10)上形成相互绝缘的像素电极(31)和公共电极(32)，所述像素电极(31)与所述开关薄膜晶体管(10)电性连接；

其中，在阵列基板(100)的基底(110)上的显示像素区(SP1)和光敏像素区(SP2)同步形成开关薄膜晶体管(10)和光敏薄膜晶体管(20)的步骤包括：

在所述基底(110)的所述显示像素区(SP1)和所述光敏像素区(SP2)分别形成第一栅极(11)跟第二栅极(21)，以及在形成所述第一栅极(11)和所述第二栅极(21)的所述基底(110)上形成绝缘层(12)；

在形成所述绝缘层(12)的所述第二栅极(21)上形成第二沟道层(23)后，在形成所述绝缘层(12)的所述第一栅极(11)上形成第一沟道层(13)；

在所述第一沟道层(13)上形成光阻层(102)，在所述第二沟道层(23)及形成有所述光阻层(102)的所述第一沟道层(13)上形成源漏金属层(16)。

2.如权利要求1所述的制备阵列基板的方法，其特征在于，对所述第二沟道层(23)上方的所述源漏金属层(16)进行蚀刻形成所述光敏薄膜晶体管(20)的第二源极(24)和第二漏极(25)。

3.如权利要求2所述的制备阵列基板的方法，其特征在于，通过剥离工艺将所述第一沟道层(13)上方的所述光阻层(102)剥离后，所述第一沟道层(13)上方的所述源漏金属层(16)形成所述开关薄膜晶体管(10)的第一源极(14)和第一漏极(15)；所述第一源极(14)与所述第一漏极(15)之间的距离小于或等于所述第二源极(24)和所述第二漏极(25)之间的距离。

4.如权利要求1所述的制备阵列基板的方法，其特征在于，所述开关薄膜晶体管(10)为氧化物薄膜晶体管，所述光敏薄膜晶体管(20)为氢化非晶硅薄膜晶体管。

5.一种阵列基板(100)，其特征在于，由权利要求1至4任一项所述的制备阵列基板的方法制作而成，所述阵列基板(100)包括阵列排布的多个子像素(SP)，每个子像素(SP)包括显示像素区(SP1)和光敏像素区(SP2)，所述显示像素区(SP1)内设有电连接的开关薄膜晶体管(10)和像素电极(31)，所述光敏像素区(SP2)内设有光敏薄膜晶体管(20)。

6.如权利要求5所述的阵列基板(100)，其特征在于，所述阵列基板(100)包括与所述开关薄膜晶体管(10)电连接的第一数据线(41)和第一扫描线(51)以及与所述光敏薄膜晶体管(20)电连接的第二数据线(42)和第二扫描线(52)。

7.一种触控液晶显示装置，其特征在于，包括如权利要求5至6任一项所述的阵列基板(100)。

8.如权利要求7所述的触控液晶显示装置，其特征在于，所述触控液晶显示装置还包括与所述阵列基板(100)相对设置的彩色滤光基板(200)，所述彩色滤光基板(200)包括第一色阻区(201)、第二色阻区(202)和第三色阻区(203)，每个色阻区与所述阵列基板(100)上的一子像素(SP)对应设置。