[发明专利]阵列基板及其制备方法和触控液晶显示装置

说明书

本发明提供一种阵列基板及制备方法，阵列基板包括阵列排布的多个子像素，每个子像素包括显示像素区和光敏像素区，显示像素区内设有电连接的开关薄膜晶体管和像素电极，光敏像素区内设有光敏薄膜晶体管。本发明提供一种触控液晶显示装置，包括上述阵列基板。本发明提供的阵列基板及其制备方法和触控液晶显示装置，通过在阵列基板的显示像素区形成电连接的开关薄膜晶体管和像素电极，在阵列基板的光敏像素区形成光敏薄膜晶体管，可使光敏薄膜晶体管的制程与开关薄膜晶体管的制程兼容，从而可以在实现远程感测的同时降低成本。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，且特别是涉及一种阵列基板及其制备方法和触控液晶显示装置。

背景技术

薄膜晶体管在显示领域得到广泛的应用，氧化物薄膜晶体管，低温多晶硅薄膜晶体管等新技术不断更新。近年来，氢化非晶硅薄膜晶体管(a-Si：H TFT)技术被广泛应用于LCD的开关元件。目前，a-Si：H TFT技术简单，适合用于大面积的电子器件，对显示产业的发展有很大的帮助。

此外，a-Si：H TFT的高光敏特性也为光学传感器的应用提供了发展潜力。利用a-Si：H薄膜的电光特性，可以使a-Si：H TFT实现X射线图像传感、指纹和光学触摸显示等多种增值功能。在这些新的TFT技术中，具有远程触控功能的超大尺寸交互式屏幕在会议室和会议室应用中受到高度重视，在这种情况下，一般使用发光二极管或者激光笔来提供多点光学输入功能。如何将光敏薄膜晶体管嵌入触控液晶显示装置内且与触控液晶显示装置的TFT开关制程兼容，是亟待解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种阵列基板及其制备方法和触控液晶显示装置，以解决现有触控液晶装置实现远程触控时光敏薄膜晶体管无法与触控液晶显示装置的制程相兼容的问题。

本发明解决其技术问题是采用以下的技术方案来实现的。

本发明提供一种阵列基板，所述阵列基板包括阵列排布的多个子像素，每个子像素包括显示像素区和光敏像素区，所述显示像素区内设有电连接的开关薄膜晶体管和像素电极，所述光敏像素区内设有光敏薄膜晶体管。

在本发明的一个实施例中，所述阵列基板包括与所述开关薄膜晶体管电连接的第一数据线和第一扫描线以及与所述光敏薄膜晶体管电连接的第二数据线和第二扫描线。

本发明还提供一种触控液晶显示装置，包括如上所述的阵列基板。

在本发明的一个实施例中，触控液晶显示装置包括与所述阵列基板相对设置的彩色滤光基板，所述彩色滤光基板包括第一色阻区、第二色阻区和第三色阻区，每个色阻区与所述阵列基板上的一子像素对应设置。

本发明还提供一种制备阵列基板的方法，包括：

在阵列基板的基底上的显示像素区和光敏像素区同步形成开关薄膜晶体管和光敏薄膜晶体管；

在所述开关薄膜晶体管上形成相互绝缘的像素电极和公共电极，所述像素电极与所述开关薄膜晶体管电性连接；

在本发明的一个实施例中，在阵列基板的基底上的显示像素区和光敏像素区同步形成开关薄膜晶体管和光敏薄膜晶体管的步骤包括：

在所述基底的所述显示像素区和所述光敏像素区分别形成第一栅极跟第二栅极，以及在形成所述第一栅极和所述第二栅极的所述基底上形成绝缘层。

在本发明的一个实施例中，在形成所述第一栅极和所述第二栅极的所述基底上形成绝缘层后的步骤包括：

在形成所述绝缘层的所述第二栅极上形成第二沟道层后，在形成所述绝缘层的所述第一栅极上形成第一沟道层。

在本发明的一个实施例中，在形成所述绝缘层的所述第一栅极上形成第一沟道层后的步骤还包括：在所述第一沟道层上形成光阻层，在所述第二沟道层及形成有所述光阻层的所述第一沟道层上形成源漏金属层。