[发明专利]一种实现太阳能电池转换效率最大化的激光开槽制作方法在审

专利信息
申请号: 202010274445.4 申请日: 2020-04-09
公开(公告)号: CN111446307A 公开(公告)日: 2020-07-24
发明(设计)人: 沈文忠;吕镱;李正平 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/18
代理公司: 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 代理人: 郑立
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 实现 太阳能电池 转换 效率 最大化 激光 开槽 制作方法
【权利要求书】:

1.一种实现太阳能电池转换效率最大化的激光开槽制作方法,其特征在于,包括以下步骤:

1)将硅片进行清洗和制绒,并进行POCl3扩散;

2)将所述硅片进行背面抛光、去除PN结,然后经过热氧化处理,沉积Al2O3薄膜,并在所述硅片的正面和背面沉积SiNx:H减反射膜,形成第一样片;

3)在所述第一样片的背面进行激光开槽,形成第二样片;

4)采用丝网印刷为所述第二样片印刷背面铝浆、正面银电极和背面银电极,再经过高温烧结,最终经过烧结制成太阳能电池。

2.如权利要求1所述的实现太阳能电池转换效率最大化的激光开槽制作方法,其特征在于,所述步骤1)中,所述硅片包括单晶硅片和多晶硅片。

3.如权利要求1所述的实现太阳能电池转换效率最大化的激光开槽制作方法,其特征在于,所述步骤2)中,所述热氧化处理的温度为680℃,所述热氧化处理的时间为20min。

4.如权利要求1所述的实现太阳能电池转换效率最大化的激光开槽制作方法,其特征在于,所述步骤2)中,所述Al2O3薄膜的厚度为6nm,在所述硅片正面沉积的所述SiNx:H减反射膜的厚度为80nm,在所述硅片背面沉积的所述SiNx:H减反射膜的厚度为120nm。

5.如权利要求1所述的实现太阳能电池转换效率最大化的激光开槽制作方法,其特征在于,所述步骤3)中,所述激光开槽形成的开槽线为水平线段型,所述第二样片包括至少两条以上相互平行的所述开槽线。

6.如权利要求1所述的实现太阳能电池转换效率最大化的激光开槽制作方法,其特征在于,所述步骤3)中,所述激光开槽采用武汉帝尔激光切割机(型号DR-LA-Y40,DR Laser)完成。

7.如权利要求1所述的实现太阳能电池转换效率最大化的激光开槽制作方法,其特征在于,所述步骤3)中,所述激光开槽采用的激光波长为532nm,频率为17kHz,扫描速度为18000mm/s。

8.如权利要求5所述的实现太阳能电池转换效率最大化的激光开槽制作方法,其特征在于,所述开槽线包括开槽的实线段和未开槽的虚线段。

9.如权利要求8所述的实现太阳能电池转换效率最大化的激光开槽制作方法,其特征在于,所述第二样片上每条所述开槽线的长度相同,所述实线段的长度为367μm,所述虚线段的长度为700μm,所述开槽线的平行间距为600μm,所述开槽线的线宽为40μm。

10.如权利要求8所述的实现太阳能电池转换效率最大化的激光开槽制作方法,其特征在于,所述开槽线的开槽比(所述实线段的长度与所述实线段、所述虚线段的长度之和的比值)为34.4%。

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