[发明专利]一种实现太阳能电池转换效率最大化的激光开槽制作方法在审
申请号: | 202010274445.4 | 申请日: | 2020-04-09 |
公开(公告)号: | CN111446307A | 公开(公告)日: | 2020-07-24 |
发明(设计)人: | 沈文忠;吕镱;李正平 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人: | 郑立 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 实现 太阳能电池 转换 效率 最大化 激光 开槽 制作方法 | ||
本发明公开了一种实现太阳能电池转换效率最大化的激光开槽制作方法,涉及钝化发射极和背面电池(PERC)领域,其特征在于,包括以下步骤:1)将硅片进行清洗和制绒,并进行POCl3扩散;2)将所述硅片进行背面抛光、去除PN结,然后经过热氧化处理,沉积Al2O3薄膜,并在所述硅片的正面和背面沉积SiNx:H减反射膜,形成第一样片;3)在所述第一样片的背面进行激光开槽,形成第二样片;4)采用丝网印刷为所述第二样片印刷背面铝浆、正面银电极和背面银电极,最终经过烧结制成太阳能电池。本发明改善了太阳能电池背面的钝化效果和背面电流的收集能力,实现了复合损失与填充因子提升的平衡,大幅度提升了太阳能电池的光电性能。
技术领域
本发明涉及钝化发射极和背面电池(PERC)领域,尤其涉及一种实现太阳能电池转换效率最大化的激光开槽制作方法。
背景技术
由于背钝化电池背表面的氧化铝/氮化硅(Al2O3/SiNx)叠层为绝缘层,所以在丝网印刷前需要通过激光开槽使硅基体露出,从而使丝网印刷后的铝浆与硅片接触形成电极通路,即采用全钝化、局部背表面场来替代常规的全铝背场。激光开槽的制作方法在一定程度上决定了电池的光电性能,尤其对绝缘保护层的钝化效果有着重要影响。
工业上通常利用激光切割机在太阳能电池背面制作水平线段型的开槽图案。在实际应用中,开槽比会直接影响电池背面的复合速率和串联电阻RS的高低。RS主要受横向传输电阻和接触电阻的影响,若开槽比增大,横向传输电阻会减小,RS亦随之减小。随着RS的降低,填充因子FF得以提高。不过,开槽比越大意味着非开槽区域(钝化区域)越少,导致开路电压VOC明显降低。因此,需要实现填充因子提高与背面复合损失之间的平衡才能实现电池转换效率的最大化。也就是说,最佳的激光开槽制作方法不仅要使绝缘保护层起到高质量的背钝化效果,还应该降低电池的横向传输电阻,开槽比过高或过低都不可取。若开槽比过高,钝化区域的损失和背电极对光子的吸收会导致VOC和短路电流ISC降低;反之,若开槽比过小,横向传输电阻增加和铝硅接触性能恶化会导致FF下降。
采用现有公开技术中的激光开槽水平线段型图案制备的PERC太阳能电池具有较高的FF和良好的铝硅接触性能,但也存在背面复合损失严重引起VOC降低的问题,无法实现太阳能电池转换效率最大化,如何发明一种实现太阳能电池转换效率最大化的激光开槽制作方法是目前本技术领域人员亟待解决的问题。
因此,本领域的技术人员致力于开发一种实现太阳能电池转换效率最大化的激光开槽制作方法,在水平线段型图案的基础上优化开槽比,确保效率稳定,在不严重损害FF和铝硅接触性能的前提下,提高绝缘保护层的钝化效果,减少背表面的复合速度,同时提高电池背面电流的收集能力,实现电阻损耗与复合损失的平衡,顺应目前高效电池高VOC的发展趋势。
发明内容
有鉴于现有技术的上述缺陷,本发明所要解决的技术问题是开发一种实现太阳能电池转换效率最大化的激光开槽制作方法,解决现有技术存在的电池背面复合损失与填充因子提升难以兼顾的问题。
为实现上述目的,本发明提供了一种实现太阳能电池转换效率最大化的激光开槽制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)将硅片进行清洗和制绒,并进行POCl3扩散;
2)将所述硅片进行背面抛光、去除PN结,然后经过热氧化处理,沉积Al2O3薄膜,并在所述硅片的正面和背面沉积SiNx:H减反射膜,形成第一样片;
3)在所述第一样片的背面进行激光开槽,形成第二样片;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学,未经上海交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010274445.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的