[发明专利]用于形成DRAM的位线接触的隔离图案和制备方法

权利要求书

1.一种用于形成DRAM的位线接触的隔离图案，其特征在于，包括：

半导体衬底；

位于半导体衬底之上的多个隔离部；

每个所述隔离部之间不相接；

其中，每个隔离部的图案均为两个部分重合的圆形组成的8字形。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体衬底中进一步包括氧化物层和被隔离区隔离的多个有源区。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离部在所述半导体衬底的氧化物层之上。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离部覆盖两个相邻的有源区的不同端。

5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，相邻的所述隔离部之间空出形成位线接触部的空间。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离部的长中心线与位线垂直。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离部的中部的正投影覆盖一条位线的一段。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，其中形成隔离部的物质，进一步包括：氮化物。

9.一种DRAM的位线接触的隔离图案的制备方法，其特征在于，包括：

提供一半导体衬底；

在所述半导体衬底形成第一隔离层；

对所述第一隔离层和半导体衬底进行刻蚀，从而使得所述第一隔离层形成多个隔离部，每个隔离部的图案均为两个部分重合的圆形组成的8字形。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述对所述第一隔离层和半导体衬底进行刻蚀，包括：

在所述第一隔离层上形成刻蚀图形转移叠层和掩模图形转移层；

利用光刻将所述隔离部的图案印制在所述掩模图形转移层中；

利用所述刻蚀图形转移叠层，将所述掩模图形转移层中的图案转印形成主刻蚀图形掩模；

利用所述主刻蚀图形掩模，刻蚀所述第一隔离层和衬底。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述利用光刻将所述隔离部的图案印制在所述掩模图形转移层中，包括：

在所述掩模图形转移层上形成硬掩模层和氮化物层；

在所述氮化物层上形成圆形掩模图形；

以所述圆形掩模图形刻蚀所述硬掩模层和氮化物层，从而在所述掩模图形转移层上得到圆形沟槽图案；

重复形成圆形掩模图案和刻蚀步骤，在所述掩模图形转移层上得到8字型沟槽图案。

12.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀图形转移叠层包括从下而上的形成的：第一旋涂硬掩模层、第一保护层、第二旋涂硬掩模层和第二保护层。

13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述利用所述刻蚀图形转移叠层，将所述掩模图形转移层中的图案转印形成主刻蚀图形掩模，包括：

将所述掩模图形转移层中的图案为掩模，对所述第二保护层和第二旋涂硬掩模层进行刻蚀，形成第二旋涂硬掩模层图案；

在所述第二旋涂硬掩模层图案上形成介质层；

去除所述第二旋涂硬掩模层图案从而将所述隔离部的图案转移到所述介质层上，并形成主刻蚀图形掩模。

14.如权利要求10所述的制备方法，其特征在于，其中所述利用所述主刻蚀图形掩模，刻蚀所述第一隔离层和衬底，包括：

利用所述主刻蚀图形掩模，刻蚀所述第一隔离层和衬底，在第一旋涂硬掩模层形成顶部为弧形圆角的硬掩模；

去除硬掩模。