[发明专利]气流扩散装置及扩散炉

说明书

本发明属于晶圆加工设备技术领域，具体涉及一种气流扩散装置及扩散炉。所述气流扩散装置包括外壳，设于所述外壳的内部的内管，所述内管包括处于不同竖直高度的第一端和第二端，且所述第一端高于所述第二端设置；设于所述第一端的盖体，所述盖体与所述内管相连或所述盖体为所述内管的一部分，所述盖体上设有气流过孔。

技术领域

本发明属于晶圆加工设备技术领域，具体涉及一种气流扩散装置及扩散炉。

背景技术

在晶圆加工过程中通过扩散工艺向晶圆中添加其他杂质，其中包括将包含有杂质原子的气体通入至反应室内，并在一定温度下将杂质原子融入至晶圆中。由于用于扩散的反应室内的进气方式通常采用开放式的结构，即进气端无气流分配结构，有可能需要通入大量的气体用于扩散，从而造成气体的浪费。更严重的，反应室内的气流流动性差，容易造成扩散室内的温度分布不均匀及气体浓度不均匀，从而影响杂质的分布，导致扩散层的厚度不一致。

发明内容

根据一个或多个实施方式，一种气流扩散装置，包括：外壳；设于所述外壳的内部的内管，所述内管包括处于不同竖直高度的第一端和第二端，且所述第一端高于所述第二端设置；设于所述第一端的盖体，所述盖体与所述内管相连或所述盖体为所述内管的一部分，所述盖体上设有气流过孔。

根据一个或多个实施方式，一种扩散炉包括上述实施方式中的气流扩散装置。

附图说明

通过阅读下文具体实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出具体实施方式的目的，而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中，用相同的附图标记表示相同的部件。其中：

图1为本申请一实施方式中气流扩散装置的内部结构示意图；

图2为图1中内管和盖体的正面结构示意图；

图3为图1中内管和盖体的俯视结构示意图；

图4为图1中内管和盖体的另一角度的结构示意图。

附图中各标号表示如下：

10：外壳；

20：内管、21：第一端、22：第二端；

30：盖体、31：气流过孔、311：第一气流过孔、312：第二气流过孔、32：遮挡部、321：第一遮挡部、322：第二遮挡部；

40：气管、41：进气端、42：出气端。

具体实施方式

以下，将参照附图来描述本公开的实施方式。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。

在附图中示出了根据本公开实施方式的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。

在本公开的上下文中，当将一层/元件称作位于另一层/元件“上”时，该层/元件可以直接位于该另一层/元件上，或者它们之间可以存在居中层/元件。另外，如果在一种朝向中一层/元件位于另一层/元件“上”，那么当调转朝向时，该层/元件可以位于该另一层/元件“下”。

图1为本申请一实施方式中气流扩散装置的内部结构示意图。如图1所示，本实施方式中的气流扩散装置包括外壳、设于外壳的内部的内管、与内管相连的盖体以及用于向内管进行通气的气管。