[发明专利]一种半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种含电容孔的半导体结构，其特征在于，包括一个以上电容孔；以及

刻蚀终止层，位于相邻的电容孔之间，并与电容孔底部基本相齐；

所述刻蚀终止层由至少两层氮化物膜组成；

所述至少两层氮化物膜的密度不同；

为使所述至少两层氮化物膜的密度不同，采用原位沉积方式。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述氮化物膜为氮化硅膜或氮化硼膜。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述蚀刻终止层包括三层氮化物。

4.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括下列步骤：

在半导体衬底上沉积蚀刻终止层，再经过后续工艺形成电容孔；

其中，所述沉积蚀刻终止层的方法为：

在所述半导体衬底上沉积多层氮化物膜，所述多层氮化物膜依次上下层叠，并且所述多层氮化物膜所采用的沉积方法不同。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述沉积方法为等离子体的原子层沉积法、热原子层沉积法或化学气相沉积法。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述多层氮化物膜的化学组成相同或不同。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述氮化物膜为氮化硅膜或氮化硼膜。

8.根据权利要求4-7任一项所述的方法，其特征在于，所述多层氮化物膜为三层。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述三层氮化物膜均由原子层沉积法或化学气相沉积法形成，并且三层氮化物膜的沉积温度由下至上逐步升高。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述三层氮化物膜的沉积温度在500～750℃之间调整。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，由下至上，第一层氮化物膜的沉积温度为500～550℃，第二层氮化物膜的沉积温度为600～650℃，第三层氮化物膜的沉积温度为700～750℃。

12.根据权利要求4-7任一项所述的方法，其特征在于，沉积所述多层氮化物膜所采用的前驱体为以下中的至少一种：二氯硅烷、四氯硅烷、六氯乙硅烷。

13.根据权利要求4-7任一项所述的方法，其特征在于，所述多层氮化物膜所采用的沉积方法至少包括：有等离子体沉积法和无等离子体沉积法；其中，所述沉积法为原子沉积法或化学气相沉积法。

14.权利要求1-3任一项所述的半导体结构，或权利要求4-13任一项所述的方法在制备半导体设备上的应用。

15.根据权利要求14所述的应用，所述半导体设备包括DRAM中的电容器。