[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202010279011.3 | 申请日： | 2020-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN113517288A | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 陆勇 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有多个间隔排列的导电结构；
在所述导电结构的表面形成侧壁介质层后，依次交替沉积形成至少两层支撑层和牺牲层；
对所述支撑层和所述牺牲层进行刻蚀处理，以形成显露出所述导电结构表面的接触孔；
在所述接触孔的表面形成电极层。
2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述导电结构的表面形成侧壁介质层的步骤进一步包括：先在所述导电结构的表面沉积形成介质层，刻蚀以形成所述导电结构的侧壁介质层。
3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述介质层的材料为氮化钛；所述介质层的厚度为20-50纳米。
4.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述支撑层和所述牺牲层的材料包括：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅。
5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述电极层的材料为氮化钛；所述电极层的厚度为20-50纳米。
6.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：刻蚀去除所述牺牲层。
7.一种半导体结构，其特征在于，包括：
半导体衬底，所述半导体衬底表面具有多个间隔排列的导电结构，且所述导电结构凸出于所述半导体衬底；
侧壁介质层，所述侧壁介质层形成于所述导电结构的侧壁；
支撑层，所述支撑层形成于所述半导体衬底和所述导电结构的表面；
接触孔，所述接触孔位于所述支撑层表面，且显露出所述导电结构；
电极层，所述电极层形成于所述所述接触孔和所述导电结构的表面。
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，还包括：所述介质层的材料为氮化钛；所述介质层的厚度为20-50纳米。
9.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述导电结构的材料包括：铜、钨。
10.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述电极层的材料为氮化钛；所述电极层的厚度为20-50纳米。
11.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述支撑层的材料包括：氧化硅、氮化硅、单晶硅、氮氧化硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
