[发明专利]曲线图形光学邻近修正方法

说明书

本发明提供了一种曲线图形光学邻近修正方法，在对导入的原始设计图形进行光学邻近修正后，在进行设计规则检查前，对曲线图形边线进行直角切割处理以形成标准图形边线；所述直角切割处理包括采用多条相互连接的沿水平或垂直方向延伸的边线拟合所述曲线图形边线。本发明通过对硅光器件的曲线图形进行直角切割处理，形成标准图形边线，使版图图形符合常规光掩模版标准，在确保光学邻近修正结果接近原始图形的同时，降低光掩膜版生产成本。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种曲线图形光学邻近修正方法。

背景技术

硅光器件工艺是一种采用硅基衬底、可以基于现有CMOS工艺进行光器件制备和集成的新一代光子器件制造技术，具有广泛的应用前景。在硅光器件的版图设计中，由于需要设计光学器件结构，其版图涵盖了大量区别于传统芯片版图的曲线图形，且光学器件对于图形边缘粗糙度要求较高。

目前，现有技术中的光学邻近修正(OPC)模型一般只能直接将硅光器件的圆弧形的非曼哈顿(Non-Manhattan)的曲线图形转换为曼哈顿(Manhattan)图形进行光学邻近修正，这将使硅光器件结构边缘的粗糙度增加，增加光学器件的波导损耗。此外，还有在光学邻近修正时引入版图寄生参数抽取过程(LPE)或采用特殊的掩膜版制造工艺等改进方法，以期匹配硅光器件中的曲线图形。然而，上述方法还存在无法获得理想效果或者会额外增加制造成本的问题。

因此，有必要提出一种新的曲线图形光学邻近修正方法，解决上述问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种曲线图形光学邻近修正方法，用于解决现有技术中光学邻近修正无法处理硅光器件的曲线图形的问题。

为实现上述目的及其它相关目的，本发明提供了一种曲线图形光学邻近修正方法，其特征在于，在对导入的原始设计图形进行光学邻近修正后，在进行设计规则检查前，对曲线图形边线进行直角切割处理以形成标准图形边线；所述直角切割处理包括采用多条相互连接的沿水平或垂直方向延伸的边线拟合所述曲线图形边线。

作为本发明的一种可选方案，所述直角切割处理的步骤包括：

采用水平边线、垂直边线和倾斜边线三种边线拟合所述曲线图形边线；

以所述倾斜边线作为矩形的对角线形成所述矩形，所述矩形的边线延伸方向与所述水平边线或所述垂直边线的延伸方向相同；

从所述矩形中选取相连接的水平边线和垂直边线作为矩形边线，所述水平边线和所述垂直边线在远离其连接端的另一端还分别连接于不同的所述水平边线、所述垂直边线或所述倾斜边线；

连接所述水平边线、所述垂直边线和所述矩形边线以形成所述标准图形边线。

作为本发明的一种可选方案，所述倾斜边线的倾斜角度为45度，所述矩形为正方形。

作为本发明的一种可选方案，从所述矩形中选取相连接的水平边线和垂直边线作为矩形边线的方法包括：设置面积判断阈值；当所述矩形与所述曲线图形的重叠部分的面积大于所述面积判断阈值时，以所述矩形中远离所述曲线图形的相连接的所述水平边线和所述垂直边线作为所述矩形边线；当所述矩形与所述曲线图形的重叠部分的面积小于所述面积判断阈值时，以所述矩形中靠近所述曲线图形的相连接的所述水平边线和所述垂直边线作为所述矩形边线。

作为本发明的一种可选方案，所述面积判断阈值的范围介于所述矩形面积的20％至80％之间。

作为本发明的一种可选方案，当所述矩形与所述曲线图形的重叠部分的面积等于所述面积判断阈值时，以所述矩形中远离所述曲线图形的相连接的所述水平边线和所述垂直边线作为所述矩形边线。