[发明专利]数据写入方法及存储控制器在审
申请号: | 202010280602.2 | 申请日: | 2020-04-10 |
公开(公告)号: | CN113515230A | 公开(公告)日: | 2021-10-19 |
发明(设计)人: | 侯冠宇;傅子瑜 | 申请(专利权)人: | 宏碁股份有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 朱颖;刘芳 |
地址: | 中国台湾新北市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 数据 写入 方法 存储 控制器 | ||
1.一种数据写入方法,其特征在于,包括:
从闪存模块的多个颗粒中选出多个第一颗粒及多个第二颗粒;
接收写入指令并判断对应所述写入指令的写入数据的大小;
当所述写入数据的大小大于门坎值时,使用虚拟单层单元模式将所述写入数据写入所述多个第二颗粒中。
2.根据权利要求1所述的数据写入方法,其特征在于,其中当所述写入数据的大小不大于所述门坎值时,使用所述虚拟单层单元模式将所述写入数据写入所述多个第一颗粒及所述多个第二颗粒中。
3.根据权利要求1所述的数据写入方法,其特征在于,还包括:
获得写入速度;
根据所述写入速度、所述闪存模块的容量及所述多个颗粒的数量来判断所述多个第一颗粒的数量及所述多个第二颗粒的数量。
4.根据权利要求1所述的数据写入方法,其特征在于,其中当部分所述写入数据已写满所述多个第二颗粒所对应的虚拟单层单元空间时,使用非单层单元模式将剩余的所述写入数据写入所述多个第二颗粒中所述虚拟单层单元空间以外的存储空间。
5.根据权利要求4所述的数据写入方法,其特征在于,其中所述非单层单元模式包括多层单元模式、三层单元模式及四层单元模式。
6.一种存储控制器,耦接到主机及闪存模块,其特征在于,所述存储控制器包括:
处理器,其中所述处理器
从所述闪存模块的多个颗粒中选出多个第一颗粒及多个第二颗粒;
从所述主机接收写入指令并判断对应所述写入指令的写入数据的大小;以及
当所述写入数据的大小大于门坎值时,使用虚拟单层单元模式将所述写入数据写入所述多个第二颗粒中。
7.根据权利要求6所述的存储控制器,其特征在于,其中当所述写入数据的大小不大于所述门坎值时,所述处理器使用所述虚拟单层单元模式将所述写入数据写入所述多个第一颗粒及所述多个第二颗粒中。
8.根据权利要求6所述的存储控制器,其特征在于,其中所述处理器获得写入速度,并根据所述写入速度、所述闪存模块的容量及所述多个颗粒的数量来判断所述多个第一颗粒的数量及所述多个第二颗粒的数量。
9.根据权利要求6所述的存储控制器,其特征在于,其中当部分所述写入数据已写满所述多个第二颗粒所对应的虚拟单层单元空间时,所述处理器使用非单层单元模式将剩余的所述写入数据写入所述多个第二颗粒中所述虚拟单层单元空间以外的存储空间。
10.根据权利要求9所述的存储控制器,其特征在于,其中所述非单层单元模式包括多层单元模式、三层单元模式及四层单元模式。
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