[发明专利]数据写入方法及存储控制器

说明书

本公开提出一种数据写入方法及存储控制器。数据写入方法包括：从闪存模块的多个颗粒中选出多个第一颗粒及多个第二颗粒；接收写入指令并判断对应写入指令的写入数据的大小；以及当写入数据的大小大于门坎值时，以及使用虚拟单层单元模式将写入数据写入第二颗粒中。本公开的数据写入方法及存储控制器仅利用闪存模块部分的第二颗粒进行虚拟单层单元模式的写入操作，因此可增加良好使用者体验的时间。

技术领域

本公开涉及一种数据写入方法及存储控制器，尤其涉及一种增加良好用户体验时间的数据写入方法及存储控制器。

背景技术

为了节省成本，四层单元(Quad Level Cell，QLC)固态硬盘(Solid State Drive，SSD)开始被开发出来。然而，QLC固态硬盘为人诟病之处在于其使用寿命及效能。由于反及式(NAND)闪存的一个存储单元电子划分的越多，在写入操作时控制进入浮栅极的电子个数就要越精细，这造成了写入操作耗费时间变长。因此，如何提升QLC固态硬盘的效能是本领域技术人员应致力的目标。

发明内容

本公开提供一种数据写入方法及存储控制器，增加固态硬盘写入操作时良好使用者体验时间。

本公开提出一种数据写入方法包括：从闪存模块的多个颗粒中选出多个第一颗粒及多个第二颗粒；接收写入指令并判断对应写入指令的写入数据的大小；以及当写入数据的大小大于门坎值时，使用虚拟单层单元模式将写入数据写入第二颗粒中。

本公开提出一种存储控制器，耦接到主机及闪存模块。存储控制器包括：处理器。处理器从闪存模块的多个颗粒中选出多个第一颗粒及多个第二颗粒；从主机接收写入指令并判断对应写入指令的写入数据的大小；以及当写入数据的大小大于门坎值时，使用虚拟单层单元模式将写入数据写入第二颗粒中。

基于上述，本公开的数据写入方法及存储控制器会从闪存模块的颗粒选出第一颗粒及第二颗粒，并在写入数据大小大于门坎值时使用虚拟单层单元模式将写入数据写入第二颗粒中。将较于使用虚拟单层单元模式将写入数据写入闪存模块的所有颗粒，本公开的数据写入方法及存储控制器仅利用闪存模块部分的第二颗粒进行虚拟单层单元模式的写入操作，因此可增加良好使用者体验的时间。

为让本公开的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

包含附图以便进一步理解本公开，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本公开的实施例，并与描述一起用于解释本公开的原理。

图1为根据本公开一实施例的数据写入系统的方块图；

图2为根据本公开一实施例将闪存模块全部颗粒配置成虚拟单层单元的连续写入速度与时间的示意图；

图3为根据本公开一实施例将闪存模块部分颗粒配置成虚拟单层单元的连续写入速度与时间的示意图。

附图标号说明

100：数据写入系统；

110：存储控制器；

111：处理器；

120：主机；

130：闪存模块；

t1、t2、t3：时间间隔。

具体实施方式

现将详细地参考本公开的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同组件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。

图1为根据本公开一实施例的数据写入系统的方块图。