[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示面板在审
申请号: | 202010281387.8 | 申请日: | 2020-04-10 |
公开(公告)号: | CN111463248A | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
发明(设计)人: | 赵隋鑫;韩佰祥 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 何辉 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制作方法 显示 面板 | ||
本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板,包括:衬底;位于该衬底上的薄膜晶体管,该薄膜晶体管包括源极、及漏极;位于该薄膜晶体管上的平坦层;贯穿该平坦层的通孔;沉积在该平坦层上和通孔内侧的阳极层,该阳极层在通孔处与该源极电连接;沉积在通孔内和阳极层外侧的填充层;位于该阳极层上的像素定义层,该像素定义层界定出包括该填充层的开口部,该通孔可以使阳极层与源极电连接,该填充层可以避免在像素定义层的开口部打印墨水时出现聚集导致打印不均的问题,同时使像素定义层界定的发光区域面积最大化,从而提高像素开口率。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其设计一种阵列基板及其制作方法、显示面板。
背景技术
薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)在诸如液晶显示器(Liquid CrystalDisplay,LCD)、有机发光二极管(Organic Light Emitting Display,OLED)、以及主动矩阵发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,AMOLED)显示器之类的平面显示装置中用作开关组件。其中,OLED显示面板具有自发光、广视角、发光效率高、功耗低、响应时间块、低温特性好、制造工艺简单、成本低等优点,在显示领域得到广泛的应用,AMOLED是利用TFT驱动控制的OLED。OLED的发光原理为,半导体材料和有机发光材料在电场的驱动下,通过载流子注入和复合导致发光。具体的,在一定电压驱动下,电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层,电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层,并在发光层中相遇,形成激子并使发光分子激发,后者经过辐射弛豫而发出可见光。
随着半导体技术领域中喷墨打印(Ink-jet printing,IJP)技术的发展,采用IJP制作OLED显示面板是实现低成本和高质量的最有效途径。在IJP OLED面板设计中,像素发光区对像素区域内地形平坦度有较高要求,在传统的像素设计中,需要设置开孔使OLED的阳极与TFT的源极连接,而平坦层(Plain,PLN)较厚,开孔后该区域存在较高的段差,打印过程中墨水会在该区域出现聚集,导致墨水分布均匀性差,使像素结构的平坦度降低,影响发光的均匀性。
发明内容
本发明的目的在于提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板,通过喷墨打印填充层以提高阵列基板的平坦度,使发光功能层发光均匀,而且使像素定义层界定的发光区域面积最大化,从而提高像素开口率。
一方面,本发明提供了一种阵列基板,包括:
衬底;
位于所述衬底上的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括源极、及漏极;
位于所述薄膜晶体管上的平坦层;
贯穿所述平坦层的通孔;
沉积在所述平坦层上和所述通孔内侧的阳极层,所述阳极层在所述通孔处与所述源极电连接;
沉积在所述通孔内和阳极层外侧的填充层;
位于所述阳极层上的像素定义层,所述像素定义层界定出包括所述填充层的开口部。
进一步优选的,所述填充层为纳米银材料。
进一步优选的,所述填充层的上表面与所述阳极层水平。
进一步优选的,还包括沉积在所述开口部的发光功能层。
进一步优选的,还包括与所述源极电连接的源极层,且由所述源极层连接所述阳极层,所述平坦层覆盖所述薄膜晶体管与所述源极层。
进一步优选的,还包括:
位于所述衬底上的遮光层;
覆盖于所述衬底和所述遮光层上的缓冲层;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,未经深圳市华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010281387.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种通信线缆
- 下一篇:病原微生物分析鉴定系统及应用
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的