[发明专利]含锡半导体材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202010281813.8 | 申请日： | 2020-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN111470528A | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 米启兮;姚琪舜;张莹玥 | 申请（专利权）人： | 上海科技大学 |
| 主分类号： | C01G19/00 | 分类号： | C01G19/00 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 徐俊 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体材料 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种含锡半导体材料，其特征在于，为一种在CsSnBr3的制备过程中通过添加金属单质或金属化合物进行掺杂生长出的不同载流子浓度的晶体。
2.如权利要求1所述的含锡半导体材料，其特征在于，原料包括CsBr、SnBr2及金属单质或金属化合物。
3.如权利要求2所述的含锡半导体材料，其特征在于，所述的金属单质或金属化合物为锡单质或四价锡化合物、铟单质或铟化合物和银单质或银化合物中的任意一种或几种。
4.如权利要求3所述的含锡半导体材料，其特征在于，所述的四价锡化合物为SnBr4或Cs2SnBr6。
5.如权利要求3所述的含锡半导体材料，其特征在于，所述的铟化合物为InBr。
6.如权利要求3所述的含锡半导体材料，其特征在于，所述的银化合物为AgBr。
7.如权利要求3所述的含锡半导体材料，其特征在于，所述的锡单质的质量不小于CsBr与SnBr2的质量之和。
8.如权利要求3-7任意一项所述的含锡半导体材料，其特征在于，所述的四价锡化合物、其它金属单质或金属化合物的摩尔数不大于SnBr2摩尔数的5％。
9.一种权利要求2-8任意一项所述的含锡半导体材料的制备方法，其特征在于，将CsBr、SnBr2与金属单质或金属化合物混合，在惰性气体保护下加热反应，缓慢冷却后得到具有不同载流子浓度的CsSnBr3半导体晶体材料。
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