[发明专利]光学调制器及包括光学调制器的光束转向系统在审
申请号: | 202010283088.8 | 申请日: | 2020-04-10 |
公开(公告)号: | CN112542764A | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 金善日;朴晶铉;李斗铉;郑秉吉 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01S5/0232 | 分类号: | H01S5/0232;H01S5/02345;H01S5/02255;H01S5/026;G02F1/29 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吴晓兵 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 调制器 包括 光束 转向 系统 | ||
1.一种光学调制器,包括:
多个单元体;
有源层,包括彼此分离的多个折射率变化区域,所述多个折射率变化区域中的每个折射率变化区域具有基于施加的电信号而变化的折射率;
多个天线图案,设置在所述有源层上方;以及
镜层,与所述多个天线图案相对地设置在所述有源层下方。
2.根据权利要求1所述的光学调制器,其中所述多个折射率变化区域中的相邻折射率变化区域之间的距离在0.1μm至0.5μm的范围内。
3.根据权利要求1所述的光学调制器,其中所述多个折射率变化区域中的相邻折射率变化区域之间的距离等于或小于所述多个折射率变化区域中的每个折射率变化区域的宽度。
4.根据权利要求3所述的光学调制器,其中所述多个折射率变化区域中的相邻折射率变化区域之间的距离小于所述多个折射率变化区域中的每个折射率变化区域的宽度的1/2。
5.根据权利要求1所述的光学调制器,其中所述多个折射率变化区域中的相邻折射率变化区域之间的距离等于或小于所述多个天线图案中的相邻天线图案之间的距离。
6.根据权利要求1所述的光学调制器,其中所述多个折射率变化区域被一维或二维地布置。
7.根据权利要求1所述的光学调制器,其中所述多个折射率变化区域彼此电隔离。
8.根据权利要求1所述的光学调制器,其中所述多个折射率变化区域彼此电连接。
9.根据权利要求1所述的光学调制器,其中所述多个折射率变化区域包括氧化物半导体。
10.根据权利要求9所述的光学调制器,其中所述氧化物半导体包括铟锡氧化物ITO、铟锌氧化物IZO、镓铟锌氧化物GIZO、铝锌氧化物AZO、镓锌氧化物GZO和氧化锌ZnO中的至少一种。
11.根据权利要求1所述的光学调制器,其中绝缘材料设置在所述多个折射率变化区域中的各个折射率变化区域之间。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的光学调制器,其中所述镜层包括与所述多个单元体相对应的金属镜。
13.根据权利要求1至11中任一项所述的光学调制器,其中所述镜层包括彼此分离并分别对应于所述多个单元体的多个金属镜。
14.根据权利要求1至11中任一项所述的光学调制器,其中所述镜层包括银Ag、金Au、铝Al和铂Pt中的至少一种。
15.根据权利要求1至11中任一项所述的光学调制器,还包括绝缘层,所述绝缘层设置在所述有源层与所述多个天线图案之间或者所述有源层与所述镜层之间,或者设置在所述有源层与所述多个天线图案之间以及所述有源层与所述镜层之间。
16.根据权利要求15所述的光学调制器,其中所述绝缘层包括具有等于或大于1MΩ的电阻的材料。
17.根据权利要求15所述的光学调制器,其中所述绝缘层包括二氧化硅SiO2、氮化硅SiN、氧化铝Al2O3、二氧化锆ZrO2、氧化铪HfO2或它们的组合。
18.根据权利要求1至11中任一项所述的光学调制器,其中所述多个天线图案中的至少一个天线图案被设置为分别对应于所述多个单元体中的每个单元体。
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