[发明专利]制造交叉点型半导体存储器件的方法

权利要求书

1.一种制造交叉点型半导体存储器件的方法，所述方法包括：

在底基层上形成第一字线材料层和第一单元堆叠材料层，

使用第一X方向修整工艺图案化所述第一单元堆叠材料层和所述第一字线材料层以形成第一初始单元堆叠、第一字线和第一X方向间隙，其中所述第一初始单元堆叠和所述第一字线在X方向上延伸，并且所述第一X方向间隙在所述第一初始单元堆叠之间在所述X方向上延伸，

使用第一下X方向间隙填充工艺形成填充所述第一X方向间隙的第一下X方向间隙填充绝缘体，

使用第一上X方向间隙填充工艺在所述第一下X方向间隙填充绝缘体上形成第一上X方向间隙填充绝缘体，以及

通过对所述第一下X方向间隙填充绝缘体和所述第一上X方向间隙填充绝缘体执行固化工艺和平坦化工艺，形成第一X方向间隙填充绝缘体，

其中：

所述第一下X方向间隙填充工艺使用包括第一前驱体和第二前驱体的第一源气体执行，并且

所述第一上X方向间隙填充工艺使用包括所述第一前驱体和所述第二前驱体的第二源气体执行，

在所述第一源气体中所述第一前驱体与所述第二前驱体的第一体积比大于15：1，并且

在所述第二源气体中所述第一前驱体与所述第二前驱体的第二体积比小于15：1。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一前驱体包括八甲基环四硅氧烷。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二前驱体包括四甲氧基硅烷和原硅酸四甲酯中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的方法，其中：

在所述第一源气体中所述第一前驱体与所述第二前驱体的所述第一体积比为20：1至50：1，并且

在所述第二源气体中所述第一前驱体与所述第二前驱体的所述第二体积比为1：1至10：1。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述第一初始单元堆叠和所述第一X方向间隙填充绝缘体上形成位线材料层，

通过使用第一Y方向修整工艺来图案化所述位线材料层和所述第一初始单元堆叠，形成第一单元堆叠、位线和第一Y方向间隙，其中所述第一单元堆叠具有柱形状，所述位线在Y方向上延伸，所述第一Y方向间隙在所述第一单元堆叠之间在所述Y方向上延伸，

使用第一下Y方向间隙填充工艺形成填充所述第一Y方向间隙的第一下Y方向间隙填充绝缘体，

使用第一上Y方向间隙填充工艺在所述第一下Y方向间隙填充绝缘体上形成第一上Y方向间隙填充绝缘体，以及

通过对所述第一下Y方向间隙填充绝缘体和所述第一上Y方向间隙填充绝缘体执行固化工艺和平坦化工艺，形成第一Y方向间隙填充绝缘体，

其中：

所述第一下Y方向间隙填充工艺使用包括所述第一前驱体和所述第二前驱体的第三源气体执行，并且

所述第一上Y方向间隙填充工艺使用包括所述第一前驱体和所述第二前驱体的第四源气体执行，

在所述第三源气体中所述第一前驱体与所述第二前驱体的第三体积比大于15：1，并且

在所述第四源气体中所述第一前驱体与所述第二前驱体的第四体积比小于15：1。

6.根据权利要求5所述的方法，其中：

所述第一单元堆叠的每个包括第一开关元件、第一存储元件和第一上电极，

所述第一开关元件包括第一下电极、第一开关电极和第一中间电极，并且

所述第一存储元件包括第一存储单元。

7.根据权利要求6所述的方法，其中：

所述第一开关电极包括双向阈值开关材料，并且

所述第一存储单元包括可变电阻材料。

8.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一下电极、所述第一中间电极和所述第一上电极包括非金属导体。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述非金属导体包括N掺杂的碳。