[发明专利]制造交叉点型半导体存储器件的方法

说明书

本公开提供了制造交叉点型半导体存储器件的方法。一种制造交叉点型半导体存储器件的方法包括：形成字线和单元堆叠，间隙在单元堆叠之间；在该间隙中形成下间隙填充绝缘体；在下间隙填充绝缘体上形成上间隙填充绝缘体；固化下间隙填充绝缘体和上间隙填充绝缘体以形成间隙填充绝缘体；以及在单元堆叠和间隙填充绝缘体上形成位线。下间隙填充工艺可以使用包括第一前驱体和第二前驱体的第一源气体执行，上间隙填充工艺可以使用包括第一前驱体和第二前驱体的第二源气体执行，在第一源气体中第一前驱体与第二前驱体的体积比可以大于15：1，在第二源气体中第一前驱体与第二前驱体的体积比可以小于15：1。

技术领域

实施方式涉及一种交叉点(cross-point)型半导体存储器件以及使用两步间隙填充工艺形成该交叉点型半导体存储器件的方法。

背景技术

随着半导体存储器件的集成度提高并且图案变得更小，存储单元堆叠的高宽比(aspect ratio)变得非常大。

发明内容

实施方式针对一种制造交叉点型半导体存储器件的方法，该方法包括：在底基层(underlayer)上形成第一字线材料层和第一单元堆叠材料层；使用第一X方向修整工艺图案化第一单元堆叠材料层和第一字线材料层以形成第一初始单元堆叠、第一字线和第一X方向间隙，其中第一初始单元堆叠和第一字线在X方向上延伸，并且第一X方向间隙在第一初始单元堆叠之间在X方向上延伸；使用第一下X方向间隙填充工艺形成填充第一X方向间隙的第一下X方向间隙填充绝缘体；使用第一上X方向间隙填充工艺在第一下X方向间隙填充绝缘体上形成第一上X方向间隙填充绝缘体；以及通过对第一下X方向间隙填充绝缘体和第一上X方向间隙填充绝缘体执行固化工艺和平坦化工艺，形成第一X方向间隙填充绝缘体。第一下X方向间隙填充工艺可以使用包括第一前驱体和第二前驱体的第一源气体执行，第一上X方向间隙填充工艺可以使用包括第一前驱体和第二前驱体的第二源气体执行，在第一源气体中第一前驱体与第二前驱体的第一体积比可以大于15:1，在第二源气体中第一前驱体与第二前驱体的第二体积比可以小于15:1。

实施方式还针对一种制造交叉点型半导体存储器件的方法，该方法包括：在底基层上形成字线和单元堆叠，间隙形成在单元堆叠之间；执行下间隙填充工艺以在该间隙中形成下间隙填充绝缘体；执行上间隙填充工艺以在下间隙填充绝缘体上形成上间隙填充绝缘体；固化下间隙填充绝缘体和上间隙填充绝缘体以形成间隙填充绝缘体；以及在单元堆叠和间隙填充绝缘体上形成位线。下间隙填充工艺可以使用包括第一前驱体和第二前驱体的第一源气体执行，上间隙填充工艺可以使用包括第一前驱体和第二前驱体的第二源气体执行，第一前驱体可以包括八甲基环四硅氧烷，第二前驱体可以包括四甲氧基硅烷和原硅酸四甲酯中的至少一种，在第一源气体中第一前驱体与第二前驱体的第一体积比可以大于15:1，在第二源气体中第一前驱体与第二前驱体的第二体积比可以小于15:1。