[发明专利]发光二极管芯片结构以及芯片移转系统与方法

权利要求书

1.一种发光二极管芯片结构，其特征在于，所述发光二极管芯片结构包括：

一发光二极管芯片，所述发光二极管芯片的一顶端具有两个电极接点；

一可移除式连接层，所述可移除式连接层设置在所述发光二极管芯片的一底端上；以及

一磁性材料层，所述磁性材料层设置在所述可移除式连接层上；

其中，所述可移除式连接层连接于所述发光二极管芯片与所述磁性材料层之间，以使得当所述可移除式连接层被移除后，所述磁性材料层脱离所述发光二极管芯片。

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片结构，其特征在于，所述发光二极管芯片为无基底的微发光二极管，所述微发光二极管包括一P型半导体层、设置在所述P型半导体层上的一发光层以及设置在所述发光层上的一N型半导体层；其中，所述发光二极管芯片的所述底端完全被所述可移除式连接层所覆盖，且所述可移除式连接层具有被所述磁性材料层所覆盖的一覆盖部分以及裸露在所述磁性材料层之外的一裸露部分；其中，所述发光二极管芯片结构的重心位于所述发光二极管芯片上，且靠近所述发光二极管芯片的两个所述电极接点。

3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片结构，其特征在于，所述发光二极管芯片为次毫米发光二极管，所述次毫米发光二极管包括一基底、设置在所述基底上的一P型半导体层、设置在所述P型半导体层上的一发光层以及设置在所述发光层上的一N型半导体层；其中，所述发光二极管芯片的所述底端完全被所述可移除式连接层所覆盖，且所述可移除式连接层具有被所述磁性材料层所覆盖的一覆盖部分以及裸露在所述磁性材料层之外的一裸露部分；其中，所述发光二极管芯片结构的重心位于所述发光二极管芯片上，且靠近所述发光二极管芯片的两个所述电极接点。

4.根据权利要求1所述的发光二极管芯片结构，其特征在于，其中一个所述电极接点围绕另外一个所述电极接点，两个所述电极接点之中的其中一个为P型电极接点，且两个所述电极接点之中的另外一个为N型电极接点；其中，所述发光二极管芯片的所述底端完全被所述可移除式连接层所覆盖，且所述可移除式连接层具有被所述磁性材料层所覆盖的一覆盖部分以及裸露在所述磁性材料层之外的一裸露部分；其中，所述发光二极管芯片结构的重心位于所述发光二极管芯片上，且靠近所述发光二极管芯片的两个所述电极接点。

5.一种芯片移转系统，其特征在于，所述芯片移转系统包括：

一液体容置槽，所述液体容置槽内容置有一液态物质，多个发光二极管芯片结构随机分布在所述液态物质内；

一电磁场产生模块，所述电磁场产生模块移动地放置在所述液体容置槽内或者离开所述液体容置槽，所述电磁场产生模块包括一可移动附加电路板以及设置在所述可移动附加电路板上的多个电磁头，所述发光二极管芯片结构通过所述电磁场产生模块以从所述液体容置槽移转到一电路基板上；以及

一连接层移除模块，所述连接层移除模块设置在所述电路基板的上方；

其中，每一所述发光二极管芯片结构包括一发光二极管芯片、一可移除式连接层以及一磁性材料层，所述发光二极管芯片的一顶端具有两个电极接点，所述可移除式连接层设置在所述发光二极管芯片的一底端上，所述磁性材料层设置在所述可移除式连接层上。

6.根据权利要求5所述的芯片移转系统，其特征在于，当所述电磁场产生模块置入所述液体容置槽后，所述发光二极管芯片结构通过所述磁性材料层被所述电磁头所吸取；其中，当所述电磁场产生模块离开所述液体容置槽后，被所述电磁头所吸取的所述发光二极管芯片结构通过所述可移动附加电路板的承载以移动至所述电路基板上；其中，当所述发光二极管芯片通过两个所述电极接点以电性连接于所述电路基板后，所述可移除式连接层通过所述连接层移除模块而被移除，以使得所述磁性材料层脱离所述发光二极管芯片。