[发明专利]发光二极管芯片结构以及芯片移转系统与方法

说明书

本发明公开一种发光二极管芯片结构以及芯片移转系统与方法。芯片移转系统包括液体容置槽、电磁场产生模块以及连接层移除模块。多个发光二极管芯片结构随机分布在液体容置槽的液态物质内。发光二极管芯片结构通过电磁场产生模块以从液体容置槽移转到一电路基板上。连接层移除模块设置在电路基板的上方。每一发光二极管芯片结构包括一发光二极管芯片、一磁性材料层以及连接于发光二极管芯片与磁性材料层之间的一可移除式连接层。借此，发光二极管芯片结构能通过电磁场产生模块以从液体容置槽移转到电路基板上，并且可移除式连接层能通过连接层移除模块而被移除，所以磁性材料层能随着可移除式连接层的移除而脱离发光二极管芯片。

技术领域

本发明涉及一种芯片结构以及芯片移转系统与方法，特别是涉及一种发光二极管芯片结构以及发光二极管芯片移转系统与方法。

背景技术

发光二极管芯片(LED chip)通常利用吸嘴(nozzle)，以从一附加电路板移转到一电路板上，但是此种芯片移转方式仍具有可改善空间。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种发光二极管芯片结构以及芯片移转系统与方法。

为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是提供一种发光二极管芯片结构，其包括：一发光二极管芯片、一可移除式连接层以及一磁性材料层。发光二极管芯片的一顶端具有两个电极接点。可移除式连接层设置在发光二极管芯片的一底端上。磁性材料层设置在可移除式连接层上。其中，可移除式连接层连接于发光二极管芯片与磁性材料层之间，以使得当可移除式连接层被移除后，磁性材料层脱离发光二极管芯片。

更进一步地，发光二极管芯片为无基底的微发光二极管，其包括一P型半导体层、设置在P型半导体层上的一发光层以及设置在发光层上的一N型半导体层；其中，发光二极管芯片的底端完全被可移除式连接层所覆盖，且可移除式连接层具有被磁性材料层所覆盖的一覆盖部分以及裸露在磁性材料层之外的一裸露部分；其中，发光二极管芯片结构的重心位于发光二极管芯片上，且靠近发光二极管芯片的两个电极接点。

更进一步地，发光二极管芯片为次毫米发光二极管，其包括一基底、设置在基底上的一P型半导体层、设置在P型半导体层上的一发光层以及设置在发光层上的一N型半导体层；其中，发光二极管芯片的底端完全被可移除式连接层所覆盖，且可移除式连接层具有被磁性材料层所覆盖的一覆盖部分以及裸露在磁性材料层之外的一裸露部分；其中，发光二极管芯片结构的重心位于发光二极管芯片上，且靠近发光二极管芯片的两个电极接点。

更进一步地，其中一电极接点围绕另外一电极接点，两个电极接点之中的其中一个为P型电极接点，且两个电极接点之中的另外一个为N型电极接点；其中，发光二极管芯片的底端完全被可移除式连接层所覆盖，且可移除式连接层具有被磁性材料层所覆盖的一覆盖部分以及裸露在磁性材料层之外的一裸露部分；其中，发光二极管芯片结构的重心位于发光二极管芯片上，且靠近发光二极管芯片的两个电极接点。

为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外一技术方案是提供一种芯片移转系统，其包括：一液体容置槽、一电磁场产生模块以及一连接层移除模块。液体容置槽内容置有一液态物质，多个发光二极管芯片结构随机分布在液态物质内。电磁场产生模块可移动地放置在液体容置槽内或者离开液体容置槽，电磁场产生模块包括一可移动附加电路板以及设置在可移动附加电路板上的多个电磁头，发光二极管芯片结构通过电磁场产生模块以从液体容置槽移转到一电路基板上。连接层移除模块设置在电路基板的上方。其中，每一发光二极管芯片结构包括一发光二极管芯片、一可移除式连接层以及一磁性材料层，发光二极管芯片的一顶端具有两个电极接点，可移除式连接层设置在发光二极管芯片的一底端上，磁性材料层设置在可移除式连接层上。