[发明专利]微创型中子束产生装置及微创型中子捕获治疗系统

权利要求书

1.一种微创型中子束产生装置，其特征在于，该微创型中子束产生装置包括：

质子加速器，与第一通道连接；

靶材，位于该第一通道的末端；

中子缓速体，包覆该第一通道的该末端，使得该靶材埋置于该中子缓速体中，其中该中子缓速体包括容置元件，用于容纳缓速物质，且该容置元件具有可伸缩性；以及

缓速物质提供器，与第二通道连接，其中该缓速物质提供器通过该第二通道将该缓速物质输送至该容置元件中。

2.如权利要求1所述的微创型中子束产生装置，其中该缓速物质为含氢物质。

3.如权利要求1所述的微创型中子束产生装置，其中该靶材与该中子缓速体的几何中心不重叠。

4.如权利要求1所述的微创型中子束产生装置，其中该中子缓速体的直径的范围介于3cm至12cm。

5.如权利要求1所述的微创型中子束产生装置，其中该靶材的材料包括锂(Li)。

6.如权利要求1所述的微创型中子束产生装置，其中该质子加速器产生能量的范围介于2MeV至2.6MeV的质子束。

7.如权利要求1所述的微创型中子束产生装置，其中该质子加速器使用的电流的范围介于0.1mA至5mA。

8.如权利要求1所述的微创型中子束产生装置，还包括冷却元件，邻近于该第一通道且环绕该靶材。

9.如权利要求1所述的微创型中子束产生装置，还包括旋转节，位于该质子加速器与该第一通道之间。

10.一种微创型中子捕获治疗系统，其特征在于，该微创型中子捕获治疗系统包括：

中子束产生装置，包括：

质子加速器，与第一通道连接；

靶材，位于该第一通道的末端；

中子缓速体，包覆该第一通道的该末端，使得该靶材埋置于该中子缓速体中，其中该中子缓速体包括容置元件，用于容纳缓速物质，且该容置元件具有可伸缩性；以及

缓速物质提供器，与第二通道连接，其中该缓速物质提供器通过该第二通道将该缓速物质输送至该容置元件中；以及

内视镜装置，邻近于该中子束产生装置。

11.如权利要求10所述的微创型中子捕获治疗系统，其中该内视镜装置贯穿该中子缓速体。

12.如权利要求10所述的微创型中子捕获治疗系统，其中该中子缓速体具有孔洞，且该内视镜装置贯穿该孔洞。

13.如权利要求12所述的微创型中子捕获治疗系统，其中该孔洞位于该容置元件内。

14.如权利要求10所述的微创型中子捕获治疗系统，其中该靶材与该中子缓速体的几何中心不重叠。

15.如权利要求10所述的微创型中子捕获治疗系统，其中该质子加速器产生能量的范围介于2MeV至2.6MeV的质子束。

16.如权利要求10所述的微创型中子捕获治疗系统，其中该质子加速器使用的电流的范围介于0.1mA至5mA。