[发明专利]微创型中子束产生装置及微创型中子捕获治疗系统

说明书

本发明公开一种微创型中子束产生装置及微创型中子捕获治疗系统，其中微创型中子束产生装置，包含质子加速器、靶材以及中子缓速体。质子加速器与第一通道连接，靶材位于第一通道的末端，且中子缓速体包覆第一通道的末端，使得靶材埋置于中子缓速体中。并且，中子缓速体包含容置元件，用于容纳缓速物质，且容置元件具有可伸缩性。本发明还提供一种包含前述微创型中子束产生装置的微创型中子捕获治疗系统。

技术领域

本发明涉及一种微创型中子束产生装置以及微创型中子捕获治疗系统。

背景技术

硼中子捕获治疗(boron neutron capture therapy，BNCT)的原理如下：含硼药物经由血液循环与肿瘤细胞结合，再用中子束以肿瘤组织的位置为中心照射，使硼吸收热中子后产生锂与氦离子，准确破坏癌细胞而不破坏其他正常的组织。

目前大部份的BNCT的中子束源产生器为源自研究用原子炉及加速器。中子束源产生器一般固定于墙上，从患者体外照射中子，基于中子的物理特性，在中子进入人体后会快速减速而无法达到较深的位置，仅能治疗距离体表较近的肿瘤，治疗深度受限。例如，即便使用较高能量的超热中子束进行治疗，治疗深度仍无法大于10cm。

承前述，虽然现存的应用于BNCT的中子束产生装置可大致满足它们原先预定的用途，但其仍未在各个方面都彻底地符合期待。因此，发展出能够进一步改善中子利用率及治疗深度的中子束产生装置仍为目前业界致力研究的课题之一。

发明内容

根据本发明一些实施例，提供一种微创型中子束产生装置，包含质子加速器、靶材以及中子缓速体。质子加速器与第一通道连接，靶材位于第一通道的末端，且中子缓速体包覆第一通道的末端，使得靶材埋置于中子缓速体中。并且，中子缓速体包含容置元件，用于容纳缓速物质，且容置元件具有可伸缩性。

根据本发明一些实施例，提供一种微创型中子捕获治疗系统，包含中子束产生装置以及内视镜装置，内视镜装置邻近于中子束产生装置。并且，中子束产生装置包含质子加速器、靶材以及中子缓速体。质子加速器与第一通道连接，靶材位于第一通道的末端，且中子缓速体包覆第一通道的末端，使得靶材埋置于中子缓速体中。并且，中子缓速体包含容置元件，用于容纳缓速物质，且容置元件具有可伸缩性。

为了让本发明的特征、或优点能更明显易懂，下文特举出一些实施例，并配合所附的附图，作详细说明如下。

附图说明

图1为本发明一些实施例中，微创型中子束产生装置的使用示意图；

图2为本发明一些实施例中，微创型中子束产生装置的结构示意图；

图3为本发明一些实施例中，微创型中子束产生装置的结构示意图；

图4为本发明一些实施例中，微创型中子束产生装置的结构示意图；

图5为本发明一些实施例中，微创型中子捕获治疗系统的结构示意图。

符号说明

10、20、30微创型中子束产生装置；

10S微创型中子捕获治疗系统；

100质子加速器；

102第一通道；

102t末端；

200靶材；

300中子缓速体；

300p孔洞；

302容置元件；

304缓速物质；

306缓速物质提供器；

308第二通道；