[发明专利]一种阵列基板及显示装置在审
申请号: | 202010287607.8 | 申请日: | 2020-04-13 |
公开(公告)号: | CN111463222A | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
发明(设计)人: | 刘军正 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括;
衬底;
栅极层,形成在所述衬底之上,图案化形成栅极;
第一信号电极层,形成在所述栅极远离所述衬底的一侧,图案化形成第一信号电极;
有源层,形成在所述第一信号电极远离所述栅极层的一侧;
第二信号电极层,形成在所述有源层远离所述第一信号电极的一侧,图案化形成第二信号电极;
其中,所述第一信号电极为源极和漏极中的一种信号电极,所述第二信号电极为所述源极和漏极中的另一种信号电极。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括刻蚀阻挡层,所述刻蚀阻挡层位于所述有源层和所述第二信号电极之间。
3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述刻蚀阻挡层形成有通孔,所述通孔贯穿所述刻蚀阻挡层,与所述有源层形成接触区域,所述第二信号电极通过所述通孔在所述接触区域内与所述有源层连接。
4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括像素电极和绝缘层,所述绝缘层设置在所述刻蚀阻挡层远离所述衬底的一侧,所述像素电极设置在所述绝缘层远离所述衬底的一侧,所述像素电极通过贯穿所述绝缘层的通孔与所述第二信号电极相连。
5.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述像素电极与所述第二信号电极接触的区域覆盖所述第二信号电极与有源层接触的区域。
6.如权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述第二信号电极在与所述有源层接触区域的厚度大于所述第二信号电极在非接触区域的厚度。
7.如权利要求1所述的阵列基板,所述有源层直接形成在所述第一信号电极远离所述衬底的一侧。
8.如权利要求1所述的阵列基板,所述第一信号电极与所述第二信号电极之间的膜层厚度为所述有源层的沟道长度。
9.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一信号电极层还图案化形成数据线。
10.一种显示装置,包括,如权利要求1至9任一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的