[发明专利]一种阵列基板及显示装置

说明书

本申请提供一种阵列基板及显示装置，该阵列基板包括层叠设置的衬底、栅极层、第一信号电极层、有源层，第二信号电极层，其中，第一信号电极层图案化形成第一信号电极，第二信号电极图案化形成第二信号电极，第一信号电极为源极和漏极中的一种信号电极，所述第二信号电极为源极漏极中的另一种信号电极。本申请通过源极和漏极分开成膜形成两层立结构，源极和漏极之间的膜层厚度为有源层的沟道长度，通过控制源极和漏极之间的膜层厚度，从而控制沟道长度，提高阵列基板的良率。

技术领域

本申请涉及显示领域，具体涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术

在现有触控面板技术中，薄膜晶体管(TFT)作为触控面板显示驱动的关键器件，对平板显示器的显示效果起重要作用。薄膜晶体管主要包括硅基TFT、有机TFT和氧化物TFT。近年，基于金属氧化物半导体的TFT因具有相对高的载流子迁移率、高的透光性、低温工艺等优势，有望成为下一代的主流TFT技术。随着氧化物TFT电性能的不断提高，其应用范围不断扩大。然而，在现有金属氧化物半导体的TFT技术中，有源层沟道采用水平沟道结构，水平沟道的长度不易控制，采用水平沟道的这类器件普遍存在空穴迁移率低，表面漏电流大，关态电流大，空穴浓度高等问题。

因此现有技术存在有源层沟道长度不易控制的问题。

发明内容

本申请实施例提供一种阵列基板及显示装置，可以有效缓解现有技术因此现有技术存在有源层沟道长度不易控制的问题。

为解决以上问题，本申请提供的技术方案如下：

本申请提一种阵列基板，包括：

衬底；

栅极层，形成在所述衬底之上，图案化形成栅极；

第一信号电极层，形成在所述栅极远离所述衬底的一侧，图案化形成第一信号电极；

有源层，形成在所述第一信号电极远离所述栅极层的一侧；

第二信号电极层，形成在所述有源层远离所述第一信号电极的一侧，图案化形成第二信号电极；

其中，所述第一信号电极为源极和漏极中的一种信号电极，所述第二信号电极为所述源极和漏极中的另一种信号电极。

在一些实施例中，所述阵列基板还包括刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层位于所述有源层和所述第二信号电极之间。

在一些实施例中，所述刻蚀阻挡层形成有通孔，所述通孔贯穿所述刻蚀阻挡层，与所述有源层形成接触区域，所述第二信号电极通过所述通孔在所述接触区域内与所述有源层连接。

在一些实施例中，所述阵列基板还包括像素电极和绝缘层，所述绝缘层设置在所述刻蚀阻挡层远离所述衬底的一侧，所述像素电极设置在所述绝缘层远离所述衬底的一侧，所述像素电极通过贯穿所述绝缘层的通孔与所述第二信号电极相连。

在一些实施例中，所述像素电极与所述第二信号电极接触的区域覆盖所述第二信号电极与有源层接触的区域。

在一些实施例中，所述第二信号电极在与所述有源层接触区域的厚度大于所述第二信号电极在非接触区域的厚度。

在一些实施例中，所述有源层直接形成在所述第一信号电极远离所述衬底的一侧。

在一些实施例中，所述第一信号电极与所述第二信号电极之间的膜层厚度为所述有源层的沟道长度。

在一些实施例中，所述第一信号电极层还图案化形成数据线。

本申请还提供一种显示装置，包括上述任一项所述的阵列基板。