[发明专利]一种干刻蚀方法及多晶硅薄膜晶体管在审
| 申请号： | 202010288223.8 | 申请日： | 2020-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN111463128A | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 张涛 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L29/16;H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 远明 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 方法 多晶 薄膜晶体管 | ||
1.一种干刻蚀方法，其特征在于，包括：
提供衬底，在所述衬底上制备半导体层和光阻，对所述光阻进行曝光和显影；
将所述衬底、所述半导体层和所述光阻放置在反应腔室中，向所述反应腔室中通入第一刻蚀气体，对所述半导体层进行第一次干法刻蚀；
在所述反应腔室中通入氧气；
将所述氧气和所述第一刻蚀气体抽走；
向所述反应腔室中通入第二刻蚀气体，对所述半导体层进行第二次干法刻蚀，形成有源层。
2.如权利要求1所述的干刻蚀方法，其特征在于，所述第一刻蚀气体与所述第二刻蚀气体相同。
3.如权利要求1所述的干刻蚀方法，其特征在于，所述第一刻蚀气体与所述第二刻蚀气体不同。
4.如权利要求1所述的干刻蚀方法，其特征在于，所述第一刻蚀气体为三氟化氮、氧气的混合气体。
5.如权利要求1所述的干刻蚀方法，其特征在于，所述在所述反应腔室中通入氧气的步骤包括：设定源功率、偏压为零，按预设的压力、预设的流速在预设的时间内向所述反应腔室通入氧气。
6.如权利要求5所述的干刻蚀方法，其特征在于，所述预定压力为0到5托。
7.如权利要求5所述的干刻蚀方法，其特征在于，所述预定流速为6000到10000毫升标准每分钟。
8.如权利要求5所述的干刻蚀方法，其特征在于，所述预设时间为4到12秒。
9.如权利要求1所述的干刻蚀方法，其特征在于，所述干刻蚀方法包括至少两次干刻蚀步骤，在任一两次相邻的干刻蚀步骤之间通入氧气。
10.一种多晶硅薄膜晶体，其特征在于，所述多晶硅薄膜晶体管采用包括权利要求1至9任一项所述的方法制备。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TCL华星光电技术有限公司，未经TCL华星光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010288223.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
