[发明专利]一种干刻蚀方法及多晶硅薄膜晶体管

说明书

本申请公开了一种干刻蚀方法及多晶硅薄膜晶体管，其中方法包括：提供衬底，在衬底上制备半导体层和光阻，对光阻进行曝光和显影；将衬底、半导体层和光阻放置在反应腔室中，向反应腔室中通入第一刻蚀气体，对半导体层进行第一次干法刻蚀；在反应腔室中通入氧气；反应一段时间后将氧气和第一刻蚀气体抽走；向反应腔室中通入第二刻蚀气体，对半导体层进行第二次干法刻蚀，形成有源层。由于氧气的活性较大，在两次相邻的刻蚀步骤中通入氧气，可带走部分积累的静电，改善反应腔室中环境，从而改善刻蚀时产生的静电放电现象。

技术领域

本申请涉及半导体制备工艺，尤其涉及一种干刻蚀方法及多晶硅薄膜晶体管。

背景技术

目前，干刻蚀在低温多晶硅薄膜晶体管的制备中得到大量应用，在刻蚀气体在进行等离子刻蚀过程中，由于反应腔内等离子体分布的不均匀性，会导致基板局部地区会有大量电荷的累积，从而造成静电放电，静电放电电压很高容易击穿基板，造成多晶硅薄膜晶体管的永久损坏。

因此现有基板干刻蚀工艺中，存在基板静电积累，容易产生静电放电的问题，需要解决。

发明内容

本申请实施例提供了一种干刻蚀方法及多晶硅薄膜晶体管，可以有效缓解多晶硅薄膜晶体管在干刻蚀时产生的静电放电现象。

本申请实施例提供一种干刻蚀方法，包括：

提供衬底，在所述衬底上制备半导体层和光阻，对所述光阻进行曝光和显影；

将所述衬底、所述半导体层和所述光阻放置在反应腔室中，向所述反应腔室中通入第一刻蚀气体，对所述半导体层进行第一次干法刻蚀；

在所述反应腔室中通入氧气；

将所述氧气和所述第一刻蚀气体抽走；

向所述反应腔室中通入第二刻蚀气体，对所述半导体层进行第二次干法刻蚀，形成有源层。

在一些实施例中，所述第一刻蚀气体与所述第二刻蚀气体相同。

在一些实施例中，所述第一刻蚀气体与所述第二刻蚀气体不同。

在一些实施例中，所述第一刻蚀气体为三氟化氮、氧气的混合气体。

在一些实施例中，所述在所述反应腔室中通入氧气的步骤包括：设定源功率、偏压为零，按预设的压力、预设的流速在预设的时间内向所述反应腔室通入氧气。

在一些实施例中，所述预定压力为0到5托。

在一些实施例中，所述预定流速为6000到10000毫升标准每分钟。

在一些实施例中，所述预设时间为4到12秒。

在一些实施例中，所述干刻蚀方法包括至少两次干刻蚀步骤，在任一两次相邻的干刻蚀步骤之间通入氧气。

本申请还提供一种多晶硅薄膜晶体，所述多晶硅薄膜晶体管采用上述任一所述的方法制备。

本申请公开了一种干刻蚀装置及其干刻蚀方法，该干刻蚀方法包括：提供衬底在衬底上制备半导体层和光阻，对光阻进行曝光显影后，对半导体层进行至少两次干刻蚀步骤，其中在任一相邻的干刻蚀步骤之间还包括通入保护气体，该活性气体为氧气。由于氧气的活性较大，在通入并反应腔并抽走的过程中，可带走部分积累的静电，改善反应腔室中环境，从而改善刻蚀时产生的静电放电现象。

附图说明

下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1为本申请实施例提供的刻蚀方法的流程示意图。

图2为本申请实施例提供的刻蚀装置的结构示意图。