[发明专利]成膜方法和成膜装置在审
申请号: | 202010288943.4 | 申请日: | 2020-04-14 |
公开(公告)号: | CN111850512A | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 菊池康晃;山口达也;小原一辉;草岛龙司 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/52;H01L21/02 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;徐飞跃 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 方法 装置 | ||
1.一种成膜方法,其特征在于,包括:
成膜步骤,通过对收纳在处理容器内的基片交替地供给多种气体,使膜沉积于该基片;和
在所述成膜步骤之前执行的成膜准备步骤,以与所述成膜步骤中要供给到所述处理容器内的全部气体的平均流量相同的流量供给非活性气体,且将所述处理容器内维持为与所述成膜步骤中的所述处理容器内的平均压力相同的压力。
2.如权利要求1所述的成膜方法,其特征在于:
所述平均流量是基于预先在与所述成膜步骤相同的条件下向所述处理容器内供给所述多种气体时计测的所述多种气体的流量来计算出的。
3.如权利要求1所述的成膜方法,其特征在于:
所述平均流量是基于所述成膜步骤中的所述多种气体的设定流量来计算出的。
4.如权利要求1至3中任一项所述的成膜方法,其特征在于:
所述平均压力是基于预先在与所述成膜步骤相同的条件下向所述处理容器内供给所述多种气体时检测出的所述处理容器内的压力来计算出的。
5.如权利要求1至4中任一项所述的成膜方法,其特征在于:
在所述成膜准备步骤中,连续地供给非活性气体。
6.如权利要求1至5中任一项所述的成膜方法,其特征在于:
在所述处理容器内收纳有多个基片。
7.如权利要求1至6中任一项所述的成膜方法,其特征在于:
所述处理容器是纵长型的容器,
具有沿着所述处理容器的长度方向延伸的用于向所述处理容器内供给所述多种气体的气体供给管。
8.如权利要求7所述的成膜方法,其特征在于:
在所述气体供给管沿长度方向形成有多个气孔。
9.一种成膜装置,其特征在于,包括:
能够收纳基片的纵长型的处理容器;
向所述处理容器内供给气体的气体供给部;
对所述处理容器内进行排气的排气部;和
控制部,
所述控制部控制所述气体供给部和所述排气部,使得执行以下步骤,即:
成膜步骤,通过对收纳在处理容器内的基片交替地供给多种气体,使膜沉积于该基片;和
在所述成膜步骤之前执行的成膜准备步骤,以与所述成膜步骤中要供给到所述处理容器内的全部气体的平均流量相同的流量供给非活性气体,且将所述处理容器内维持为与所述成膜步骤中的所述处理容器内的平均压力相同的压力。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的