[发明专利]成膜方法和成膜装置

说明书

本发明一个方式提供一种成膜方法，其包括：成膜步骤，通过对收纳在处理容器内的基片交替地供给多种气体，使膜沉积于该基片；和在所述成膜步骤之前执行的成膜准备步骤，以与所述成膜步骤中要供给到所述处理容器内的全部气体的平均流量相同的流量供给非活性气体，且将所述处理容器内维持为与所述成膜步骤中的所述处理容器内的平均压力相同的压力。由此，可提供能够降低成膜的初始阶段中的温度变动的技术。

技术领域

本发明涉及成膜方法和成膜装置。

背景技术

已知一种批量式的基片处理装置，其在处理室内，在将多个基片分多层地保持于基片保持件的状态下，能够对多个基片进行成膜处理等。作为这样的基片处理装置，已知在与垂直地铺设于处理室的单侧的冷却气体供给管具有90度的相位差的位置铺设保护管，并将热电偶的热接点封入保护管中，来检测处理室的温度的技术(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献1：日本特开2006-186049号公报。

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明提供一种能够降低成膜的初始阶段中的温度变动的技术。

用于解决问题的技术方案

本发明的一个方式的成膜方法，包括：成膜步骤，通过对收纳在处理容器内的基片交替地供给多种气体，使膜沉积于该基片；和在所述成膜步骤之前执行的成膜准备步骤，以与所述成膜步骤中要供给到所述处理容器内的全部气体的平均流量相同的流量供给非活性气体，且将所述处理容器内维持为与所述成膜步骤中的所述处理容器内的平均压力相同的压力。

发明效果

根据本发明，能够降低成膜的初始阶段中的温度变动。

附图说明

图1是表示成膜装置的构成例的截面图。

图2是用于说明处理容器的图。

图3是表示一个实施方式的成膜方法的一例的流程图。

图4是表示实施例1的各步骤中的温度随时间的变化的图。

图5是表示比较例1的各步骤中的温度随时间的变化的图。

附图标记说明

1 成膜装置

10 处理容器

50 气体供给部

52、54、56 气体供给管

52a、54a、56a 气孔

62 排气部

100 控制部

W 晶片。

具体实施方式

以下，参照附图，对本发明的非限定的例示的实施方式进行说明。在全部附图中，对相同或对应的部件或零件标注相同或对应的附图标记，并省略重复的说明。

(成膜装置)

说明一个实施方式的成膜装置。图1是表示一个实施方式的成膜装置的构成例的截面图。图2是用于说明处理容器的图。

如图1所示，成膜装置1具有纵长型的处理容器10。处理容器10具有下端开放的有顶的圆筒形状的内筒12和下端开放且覆盖内筒12的外侧的有顶的圆筒形状的外筒14。内筒12和外筒14由石英等的耐热性材料形成，呈同轴状配置形成双重筒构造。在内筒12内收纳有晶片舟皿16。晶片舟皿16是沿着上下方向具有规定间隔地将多个半导体晶片(以下称为“晶片W”。)保持为大致水平的基片保持件。晶片W是基片的一例。