[发明专利]一种连续型真空镀膜生产设备及其生产方法

权利要求书

1.一种连续型真空镀膜生产设备，其特征在于，包括：

多个依次呈直线型连接的镀膜工艺腔室；各个镀膜工艺腔室均真空设置，且各个镀膜工艺腔室均用于采用镀膜工艺对运输至腔室内的基材进行加热和/或镀膜；

至少一个传输装置，用于运输基材依次通过各个镀膜工艺腔室；

至少一个与传输装置电连接的控制装置，用于按照预设运输控制进程控制所述传输装置在各个镀膜工艺腔室之间移动，以及按照生产控制进程控制对传输至各个镀膜工艺腔室内的基材进行镀膜。

2.根据权利要求1所述的连续型真空镀膜生产设备，其特征在于，所述多个呈直线型连接的镀膜工艺腔室包括第一沉积薄膜腔室、热处理腔室、第二沉积薄膜腔室和第三沉积薄膜腔室；

所述第一沉积薄膜腔室，用于在基材表面上沉积作为电池正极的薄膜层；

所述热处理腔室，用于按照预设温度值对输入至其腔室内的基材进行热处理；

所述第二沉积薄膜腔室；用于在基材上沉积作为电池电解质的薄膜层；

所述第三沉积薄膜腔室，用于在基材上沉积作为电池负极集流体的薄膜层。

3.根据权利要求2所述的连续型真空镀膜生产设备，其特征在于，所述第二沉积薄膜腔室和第三沉积薄膜腔室之间还设置有第四沉积薄膜腔室；

所述第四沉积薄膜腔室，用于在基材上沉积作为电池负极的薄膜层。

4.根据权利要求2所述的连续型真空镀膜生产设备，其特征在于，所述第三沉积薄膜腔室之后，还连接有第五沉积薄膜腔室；

所述第五沉积薄膜腔室，用于在基材上沉积作为电池密封包覆层的薄膜层。

5.根据权利要求2所述的连续型真空镀膜生产设备，其特征在于，所述第一沉积薄膜腔室之前，还连接有第六沉积薄膜腔室；

所述第六沉积薄膜腔室，用于在基材上沉积作为电池正极集流体的薄膜层。

6.根据权利要求2-5任一项所述的连续型真空镀膜生产设备，其特征在于，所述第一沉积薄膜腔室之前还设置有真空上料腔室，所述第六沉积薄膜腔室之后还连接有真空下料腔室；或者所述第一沉积薄膜腔室之前还设置有真空下料腔室，所述第六沉积薄膜腔室之后还连接有真空上料腔室。

7.根据权利要求1-5任一项所述的连续型真空镀膜生产设备，其特征在于，各个镀膜工艺腔室内均设置有真空镀膜系统、抽真空系统、真空测量系统、薄膜原位监测系统、加热系统、掩膜系统；

所述真空镀膜系统，用于利用沉积源对传输至腔室内的基材进行沉积镀膜；

所述抽真空系统，用于对抽取腔室内的气体，以使得腔室内处于真空状态；

所述真空测量系统，用于对腔室内是否处于真空状态进行检测；

所述薄膜原位检测系统，用于检测沉积镀膜时薄膜层的镀膜参数；

所述加热系统，用于按照预设设置温度对腔室内的镀膜进行加热；

所述掩膜系统，用于贴合到基材表面上，使得在基材表面上形成掩膜版图案。

8.根据权利要求1所述的连续型真空镀膜生产设备，其特征在于，所述多个依次呈直线型连接的镀膜工艺腔室包括第一沉积薄膜腔室、第二沉积薄膜腔室、热处理腔室、第三沉积薄膜腔室、第四沉积薄膜腔室和第五沉积薄膜腔室；

所述第一沉积薄膜腔室，用于在基材上沉积作为玻璃透明导电集流体的薄膜层；

所述第二沉积薄膜腔室；用于在基材上沉积玻璃变色层的薄膜层；

所述热处理腔室，用于按照预设温度值对传输至腔室内的基材进行真空热处理；

所述第三沉积薄膜腔室，用于在基材上沉积作为玻璃电解质的薄膜层；

所述第四沉积薄膜腔室，用于在基材上沉积作为玻璃离子存储层的薄膜层；

所述第五沉积薄膜腔室，用于在基材上沉积作为玻璃离子存储层透明集流体的薄膜层。