[发明专利]基于高分子复合微波介质的片式天线及其制备方法

权利要求书

1.一种基于高分子复合微波介质的片式天线的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括：

提供高分子复合微波介质基板，所述基板包括高分子复合微波介质基体及贴敷于其上表面和下表面的第一金属层；

于所述高分子复合微波介质基板上形成贯通的通孔，所述通孔包括沿纵向阵列排布的第一通孔及沿横向阵列排布的第二通孔，沿纵向相邻的所述第一通孔与沿横向相邻的所述第二通孔形成一个重复单元；

于所述通孔的内壁电镀第二金属层；

刻蚀所述第一金属层，以于所述高分子复合微波介质基体的上表面和下表面分别形成上线路层、下线路层及电连接基片，所述上线路层包括至少一片顺次排布的金属基片，所述下线路层包括至少一片顺次排布的所述金属基片，所述上线路层和所述下线路层由所述第二通孔内的所述第二金属层顺次连接成螺旋电路层，所述螺旋电路层两端通过所述电连接基片与所述第一通孔内的所述第二金属层电连接；

沿横向方向在所述第一通孔的径向位置及沿纵向方向在所述第二通孔的径向位置切割所述高分子复合微波介质基板，以获得独立的片式天线的重复单元。

2.根据权利要求1所述的基于高分子复合微波介质的片式天线的制备方法，其特征在于：切割所述高分子复合微波介质基板之前还包括于所述高分子复合微波介质基板的上表面及下表面印刷阻焊油墨的步骤。

3.根据权利要求1所述的基于高分子复合微波介质的片式天线的制备方法，其特征在于：切割所述高分子复合微波介质基板之前还包括于所述第一通孔的内壁镀防腐金属层的步骤。

4.根据权利要求3所述的基于高分子复合微波介质的片式天线的制备方法，其特征在于：所述防腐金属层的材料包括由镍、金及锡组成群组中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的基于高分子复合微波介质的片式天线的制备方法，其特征在于：于所述通孔的内壁电镀第二金属层之前还包括对所述通孔金属化处理的步骤。

6.根据权利要求1所述的基于高分子复合微波介质的片式天线的制备方法，其特征在于：所述第一金属层的材料为铜，所述第二金属层的材料为铜，所述通孔的形状为圆形，所述高分子复合微波介质基体的介电常数在10GHz的测试频率下介于2.0～20之间，所述高分子复合微波介质基体的介质损耗在10GHz的测试频率下不大于0.01。

7.根据权利要求1所述的基于高分子复合微波介质的片式天线的制备方法，其特征在于，形成所述上线路层、下线路层及电连接基片的步骤包括：

于所述高分子复合微波介质基板的上表面及下表面分别贴干膜，然后曝光；

刻蚀所述第一金属层，以形成所述上线路层、下线路层及电连接基片；

去除所述干膜。

8.一种基于高分子复合微波介质的片式天线，其特征在于，所述片式天线至少包括：

高分子复合微波介质基体，所述高分子复合微波介质基体具有相对的上表面和下表面、相对的两第一侧面及相对的两第二侧面，其中，所述第一侧面及所述第二侧面上具有贯穿所述高分子复合微波介质基体的凹形槽；

螺旋电路层，所述螺旋电路层包括上线路层、下线路层及凹形导电柱，所述上线路层及所述下线路层分别形成于所述高分子复合微波介质基体的上表面和下表面，所述凹形导电柱形成于所述高分子复合微波介质基体的第一侧面的所述凹形槽的内壁上，所述上线路层包括至少一片顺次排布的金属基片，所述下线路层包括至少一片顺次排布的所述金属基片，所述上线路层和所述下线路层由所述凹形导电柱顺次连接成所述螺旋电路层；

电连接基片及凹形导电结点，所述凹形导电结点形成于所述高分子复合微波介质基体的第二侧面的所述凹形槽的内壁上，所述电连接基片形成于所述高分子复合微波介质基体的上表面和下表面，所述螺旋电路层两端通过所述电连接基片与所述凹形导电结点电连接。

9.根据权利要求8所述的基于高分子复合微波介质的片式天线，其特征在于：所述高分子复合微波介质基板的上表面和下表面形成有覆盖所述上线路层、下线路层的绝缘组焊层。