[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底，所述基底表面具有伪栅极结构；

分别位于所述伪栅极结构两侧的基底内的源漏开口；

位于所述源漏开口侧壁的第一应力层；

位于所述源漏开口底部、以及所述第一应力层上的第二应力层，所述第二应力层填充满所述源漏开口，且所述第一应力层的应力小于所述第二应力层的应力。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一应力层和第二应力层的材料相同。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，当所要形成的器件为P型器件时，所述第一应力层和第二应力层的材料为硅锗，且所述第一应力层中锗元素具有第一浓度，所述第二应力层中锗元素具有第二浓度，所述第一浓度小于第二浓度。

4.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，当所要形成的器件为N型器件时，所述第一应力层和第二应力层的材料为磷化硅，且所述第一应力层中磷元素具有第一浓度，所述第二应力层中磷元素具有第二浓度，所述第一浓度小于第二浓度。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一应力层内掺杂有第一离子，所述第二应力层内掺杂有第二离子。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一离子的导电类型和所述第二离子的导电类型相反。

7.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一离子的导电类型和所述第二离子的导电类型相同。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述伪栅极结构包括：位于部分基底表面的伪栅介质层、位于所述伪栅介质层表面的伪栅电极层以及位于所述伪栅介质层和伪栅电极层侧壁表面的侧墙；所述源漏开口暴露出侧墙的底部表面。

9.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述第二应力层表面的保护层，所述保护层内掺杂有第三离子，且所述第三离子的导电类型和所述第二离子的导电类型相同。

10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述保护层表面和伪栅极结构侧壁表面的停止阻挡层；位于所述停止阻挡层表面的介质层；位于所述介质层、停止阻挡层以及保护层内的导电插塞。

11.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基底包括衬底和位于衬底表面的鳍部，所述伪栅极结构横跨所述鳍部，且所述伪栅极结构覆盖部分鳍部的顶部表面和侧壁表面。

12.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底表面具有伪栅极结构；

分别在所述伪栅极结构两侧的基底内形成源漏开口；

在源漏开口侧壁形成第一应力层；

在所述源漏开口底部、以及所述第一应力层上形成第二应力层，所述第二应力层填充满所述源漏开口，且所述第一应力层的应力小于所述第二应力层的应力。

13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一应力层的形成方法包括：在所述源漏开口侧壁和底部表面形成初始第一应力层；以所述伪栅极结构为掩膜，刻蚀所述源漏开口底部表面的初始第一应力层，在所述源漏开口侧壁形成第一应力层。

14.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始第一应力层内掺杂有第一离子，所述第二应力层内掺杂有第二离子。

15.如权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始第一应力层的形成工艺包括：选择性外延沉积工艺；采用原位掺杂工艺在所述初始第一应力层内掺杂第一离子。