[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：基底，所述基底表面具有伪栅极结构；分别位于所述伪栅极结构两侧的基底内的源漏开口；位于所述源漏开口侧壁的第一应力层；位于所述源漏开口底部、以及所述第一应力层上的第二应力层，所述第二应力层填充满所述源漏开口，且所述第一应力层的应力小于所述第二应力层的应力。所述第一应力层仅位于源漏开口的侧壁，占用所述源漏开口较小的空间，使得在源漏开口内形成的第二应力层的体积较大，进而提高所述第二应力层对沟道的应力。同时，所述第一应力层能够缓解基底和第二应力层之间的界面缺陷，进而能够减少对沟道的影响，改善短沟道效应。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

随着集成电路制造技术的快速发展，促使集成电路中的半导体器件的尺寸不断地缩小，使整个集成电路的运作速度将因此而能有效地提升。

在超大规模集成电路中，通常通过在晶体管上形成应力，从而增大晶体管的载流子迁移率，以增大晶体管的驱动电流。

然而，现有技术形成的半导体器件的性能有待提高。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种半导体结构及其形成方法，以提高形成的半导体结构的性能。

为解决上述技术问题，本发明技术方案提供一种半导体结构，包括：基底，所述基底表面具有伪栅极结构；分别位于所述伪栅极结构两侧的基底内的源漏开口；位于所述源漏开口侧壁的第一应力层；位于所述源漏开口底部、以及所述第一应力层上的第二应力层，所述第二应力层填充满所述源漏开口，且所述第一应力层的应力小于所述第二应力层的应力。

可选的，所述第一应力层和第二应力层的材料相同。

可选的，当所要形成的器件为P型器件时，所述第一应力层和第二应力层的材料为硅锗，且所述第一应力层中锗元素具有第一浓度，所述第二应力层中锗元素具有第二浓度，所述第一浓度小于第二浓度。

可选的，当所要形成的器件为N型器件时，所述第一应力层和第二应力层的材料为磷化硅，且所述第一应力层中磷元素具有第一浓度，所述第二应力层中磷元素具有第二浓度，所述第一浓度小于第二浓度。

可选的，所述第一应力层内掺杂有第一离子，所述第二应力层内掺杂有第二离子。

可选的，所述第一离子的导电类型和所述第二离子的导电类型相反。

可选的，所述第一离子的导电类型和所述第二离子的导电类型相同。

可选的，所述伪栅极结构包括：位于部分基底表面的伪栅介质层、位于所述伪栅介质层表面的伪栅电极层以及位于所述伪栅介质层和伪栅电极层侧壁表面的侧墙；所述源漏开口暴露出侧墙的底部表面。

可选的，还包括：位于所述第二应力层表面的保护层，所述保护层内掺杂有第三离子，且所述第三离子的导电类型和所述第二离子的导电类型相同。

可选的，还包括：位于所述保护层表面和伪栅极结构侧壁表面的停止阻挡层；位于所述停止阻挡层表面的介质层；位于所述介质层、停止阻挡层以及保护层内的导电插塞。

可选的，所述基底包括衬底和位于衬底表面的鳍部，所述伪栅极结构横跨所述鳍部，且所述伪栅极结构覆盖部分鳍部的顶部表面和侧壁表面。

相应的，本发明技术方案还提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底表面具有伪栅极结构；分别在所述伪栅极结构两侧的基底内形成源漏开口；在源漏开口侧壁形成第一应力层；在所述源漏开口底部、以及所述第一应力层上形成第二应力层，所述第二应力层填充满所述源漏开口，且所述第一应力层的应力小于所述第二应力层的应力。