[发明专利]三维存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种三维存储器，其特征在于，包括：

形成于衬底上的若干间隔排布的存储单元区；

形成于所述衬底上且位于各存储单元区周围的台阶区；

形成于相邻的所述台阶区之间的虚拟堆叠结构，其中，所述虚拟堆叠结构包括虚拟存储单元区和位于所述虚拟存储单元区周围的虚拟台阶区，所述虚拟台阶区的至少一侧形成虚拟台阶结构；以及，

填充在相邻的所述台阶区和所述虚拟堆叠结构之间的填充材料层，其中，所述填充材料层覆盖相邻的所述台阶区和所述虚拟堆叠结构以及相邻的所述台阶区和所述虚拟堆叠结构之间的衬底。

2.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述虚拟堆叠结构的中心线与相邻的所述存储单元区的中心线的连线的中点重合。

3.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述虚拟堆叠结构的顶面与所述填充材料层的顶面共面。

4.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述存储单元区设有多个贯穿所述存储单元区的存储沟道结构，所述台阶区设有多个贯穿所述台阶区的虚拟沟道结构。

5.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述虚拟堆叠结构设有多个贯穿所述虚拟堆叠结构的虚拟沟道孔，多个所述虚拟沟道孔间隔分布于所述虚拟存储单元区和所述虚拟台阶区。

6.如权利要求5所述的三维存储器，其特征在于，所述虚拟堆叠结构包括第一虚拟堆叠结构和第二虚拟堆叠结构，所述第一虚拟堆叠结构设于所述衬底的表面，所述第二虚拟堆叠结构设于所述第一虚拟堆叠结构背离所述衬底的表面；

每一所述虚拟沟道孔均包括第一子沟道孔和第二子沟道孔，所述第一子沟道孔贯穿所述第一虚拟堆叠结构，所述第二子沟道孔贯穿所述第二虚拟堆叠结构且与所述第一子沟道孔连通。

7.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述三维存储器还包括多个栅缝隙，所述多个栅缝隙贯穿所述存储单元区。

8.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述三维存储器还包括多个虚拟栅缝隙，多个所述虚拟栅缝隙间隔设置于所述虚拟堆叠结构且每一所述虚拟栅缝隙均贯穿所述虚拟堆叠结构，或者，多个所述虚拟栅缝隙间隔设置于所述虚拟堆叠结构和所述填充材料层，且分别贯穿所述虚拟堆叠结构和所述填充材料层。

9.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述填充材料层还设有多个贯穿所述填充材料层的虚拟导电接触孔，且位于同一列的多个所述虚拟导电接触孔间隔设置。

10.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述填充材料层还设有贯穿所述填充材料层的切割槽，所述切割槽与所述虚拟堆叠结构间隔设置。

11.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底的表面同时形成若干间隔排布的存储单元区、位于各所述存储单元区周围的台阶区，以及各所述台阶区之间的虚拟堆叠结构，其中，所述虚拟堆叠结构包括虚拟存储单元区和位于所述虚拟存储单元区周围的虚拟台阶区，所述虚拟台阶区的至少一侧形成虚拟台阶结构；以及，

在相邻的所述台阶区和所述虚拟堆叠结构之间填充填充材料层，其中，所述填充材料层覆盖相邻的所述台阶区和所述虚拟堆叠结构以及相邻的所述台阶区和所述虚拟堆叠结构之间的衬底。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述在衬底的表面形成各所述台阶区之间的虚拟堆叠结构包括：

在所述衬底的表面形成位于各所述台阶区之间的第一虚拟堆叠结构；以及，

在所述第一虚拟堆叠结构背离所述衬底的表面形成第二虚拟堆叠结构。