[发明专利]透明线路板及其制备方法在审
| 申请号： | 202010291551.3 | 申请日： | 2020-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN113543453A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 徐筱婷;何明展;沈芾云 | 申请（专利权）人： | 鹏鼎控股（深圳）股份有限公司;庆鼎精密电子（淮安）有限公司 |
| 主分类号： | H05K1/02 | 分类号： | H05K1/02;H05K1/03;H05K3/18 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 饶婕;许春晓 |
| 地址： | 518105 广东省深圳市宝安区燕*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透明 线路板 及其 制备 方法 | ||
1.一种透明线路板，其特征在于，所述透明线路板包括：
透明基板；
位于透明基板上的导电线路层；以及
位于所述透明基板和所述导电线路层之间的第一金属氧化层，所述第一金属氧化层与所述导电线路层的大小、图案为一致的；所述第一金属氧化层的材质选自CrO2、CrOxNy、CuO、Ti2O3、Ni2O3、Fe3O4、AlOx中的至少一种；所述第一金属氧化层的厚度小于等于100nm。
2.如权利要求1所述的透明线路板，其特征在于：所述透明基板的材质为透明的聚酰亚胺。
3.如权利要求1所述的透明线路板，其特征在于：所述第一金属氧化层的光反射率小于12％，光学密度大于2。
4.如权利要求1所述的透明线路板，其特征在于：所述透明线路层还包括位于所述导电线路层远离所述透明基板一侧的第二金属氧化层，所述第二金属氧化层与所述导电线路层的大小、图案为一致的。
5.如权利要求4所述的透明线路板，其特征在于：所述第二金属氧化层的材质选自CrO2、CrOxNy、CuO、Ti2O3、Ni2O3、Fe3O4、AlOx中的至少一种；所述第二金属氧化层的厚度小于等于100nm。
6.如权利要求1所述的透明线路板，其特征在于：所述透明基板的相对两个表面的每一个表面上分别形成有所述第一金属氧化层与所述导电线路层。
7.一种透明线路板的制备方法，其特征在于：其包括：
提供透明基板并在所述透明基板的表面上形成金属氧化层，所述金属氧化层的材质选自CrO2、CrOxNy、CuO、Ti2O3、Ni2O3、Fe3O4、AlOx中的至少一种，所述金属氧化层的厚度小于等于100nm；
在所述金属氧化层远离所述透明基板的表面上形成导电基底层；
在所述导电基底层上形成局部覆盖所述导电基底层的光阻层；
未被所述光阻层覆盖的所述导电基底层上经电镀形成导电线路层；以及
移除所述光阻层以使所述导电基底层局部露出，并同时蚀刻去除露出的导电基底层和位于其下方的金属氧化层。
8.如权利要求7所述的透明线路板的制备方法，其特征在于：所述透明基板的材质为透明的聚酰亚胺。
9.如权利要求7所述的透明线路板的制备方法，其特征在于：所述制备方法还包括在电镀形成所述导电线路层之后在移除所述光阻层之前，在所述导电线路层上形成另一金属氧化层，所述另一金属氧化层的材质选自CrO2、CrOxNy、CuO、Ti2O3、Ni2O3、Fe3O4、AlOx中的至少一种且厚度小于等于100nm。
10.如权利要求7所述的透明线路板的制备方法，其特征在于：所述金属氧化层的光反射率小于12％，光学密度大于2。
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