[发明专利]电容器、半导体器件、电子设备及其制造方法

权利要求书

1.一种电容器结构，包括：

半导体基底；

位于半导体基底上的多个电容器，所述电容器包括下电极、介电层和上电极；

所述下电极具有侧壁、封闭的底部和开放的顶部，所述介电层包括位于所述下电极侧壁和底壁上的第一介电层，所述上电极包括位于所述第一介电层内侧的第一上电极，所述下电极、第一介电层和第一上电极构成第一电容；

位于所述下电极顶部和所述第一介电层顶部之上的支撑物。

2.根据权利要求1所述的电容器结构，其特征在于：

所述介电层还包括位于所述下电极侧壁外侧的第二介电层，所述上电极还包括位于所述下电极侧壁外侧的第二上电极，所述下电极、第二介电层和第二上电极构成第二电容。

3.根据权利要求2所述的电容器结构，其特征在于：

所述第一电容和第二电容的结构为间隔分布的圆筒电容器。

4.根据权利要求2所述的电容器结构，其特征在于：

所述第一上电极和所述第二上电极连通。

5.根据权利要求1所述的电容器结构，其特征在于：

所述第一介电层的高度与所述下电极的高度相同。

6.根据权利要求2所述的电容器结构，其特征在于：

所述第一上电极包括第一阻挡层和第一上电极层；

所述第二上电极包括第二阻挡层和第二上电极层。

7.根据权利要求5所述的电容器结构，其特征在于：

所述第一阻挡层、第一介电层和下电极高度相同；

所述支撑物位于所述第一阻挡层、第一介电层和下电极顶部之上。

8.根据权利要求1-7任意一项所述的电容器结构，其特征在于：

所述支撑物为环状。

9.根据权利要求8任意一项所述的电容器结构，其特征在于：

所述支撑物包含氮化物材料；进一步的，所述氮化物材料包含SiN、SiCN、BN_x中的任意一种或两种以上的组合。

10.一种电容器结构的制造方法，其包括以下工艺步骤：

提供半导体基底，所述半导体基底上有牺牲模层；

在牺牲模层上形成支撑层；

刻蚀所述牺牲膜层和支撑层形成第一凹槽，所述第一凹槽与形成下电极的位置对应；

在所述第一凹槽中形成第一电容，包括依次形成下电极、第一介电层和第一上电极；

在第一电容上形成支撑盘，所述支撑盘包括位于第一上电极层顶部之上的上盘部分和位于上盘部分之下的、环绕所述第一上电极层的支撑环部分，所述支撑环部分位于所述下电极层和第一介电层上；

以所述支撑盘为掩膜刻蚀剩余的所述牺牲模层，形成第二凹槽；

在所述第二凹槽中形成第二介电层和第二上电极。

11.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于：

形成所述第一上电极包括：形成第一阻挡层和第一上电极层。

12.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于：

所述第一介电层和第一阻挡层贴着所述沟槽的侧壁和底壁形成。

13.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于：

所述上盘的外径小于所述支撑环的外径。

14.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于：

所述在第一电容上形成支撑盘的步骤，包括：

进行平坦化处理露出所述支撑层；

对所述下电极、第一介电层和第一阻挡层进行回刻；

填充支撑材料层并进行刻蚀以形成所述支撑盘。