[发明专利]具有高线路对位精度的多层电路板的制作方法

权利要求书

1.一种具有高线路对位精度的多层电路板的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤1)、准备一张双面覆铜基板(B0)，所述双面覆铜基板(B0)由一张辅助基板(10)和两张分别压合于所述辅助基板(10)正反两面上的超薄载体铜箔(11)组成，每一所述超薄载体铜箔(11)各具有一层载体铜箔(110)和一层以可拆分地方式设置在所述载体铜箔(110)上的超薄铜箔(111)，且所述载体铜箔(110)还朝向所述辅助基板(10)，所述超薄载体铜箔(11)的厚度为3μm或者5μm；

步骤2)、先在所述双面覆铜基板(B0)的两张所述超薄铜箔(111)表面上同时进行压膜、曝光和显影作业，以实现在两张所述超薄铜箔(111)表面上形成有干膜覆盖的第一线路图形、以及露出无干膜覆盖的裸铜区域；然后再利用电镀技术在两张所述超薄铜箔(111)的裸铜区域上各分别电镀上多个第一铜柱(20)和多个第一对位靶标(21)，且同时多个所述第一铜柱(20)分布于两张所述超薄铜箔(111)的中部处，多个所述第一对位靶标(21)分布于两张所述超薄铜箔(111)的边缘处；随后去除所有干膜，得到第一基板(B1)；

步骤3)、分别在所述第一基板(B1)的正反两面上叠置一张第一绝缘层(3)，排版后进行第一次层压压合，层压过程中，两张所述第一绝缘层(3)的树脂流动并进行填充，以实现将两张所述超薄铜箔(111)、多个所述第一铜柱(20)和多个所述第一对位靶标(21)密封包覆住；

层压压合后进行第一次镭射烧靶和第一次镭射开窗作业，其中，借由所述第一次镭射烧靶作业，能够使得多个所述第一对位靶标(21)均完全暴露于两张所述第一绝缘层(3)外；借由所述第一次镭射开窗作业，能够以所述第一对位靶标(21)作为对位基准在两张所述第一绝缘层(3)上均分别加工出多个第一窗口(30)，且同时多个所述第一铜柱(20)还分别对应的局部露出于多个所述第一窗口(30)外；此时得到第二基板(B2)；

步骤4)、先利用化学沉铜技术在两张所述第一绝缘层(3)表面、及多个所述第一窗口(30)内壁上分别沉积一层第一种子层，然后再在所述第一种子层上进行电镀作业，以实现在每一所述第一窗口(30)中各加工出与所述第一铜柱(20)相连接导通的第二铜柱(40)，以及实现在每一所述第一绝缘层(3)表面上各加工出一层与多个第二铜柱(40)相连接导通的第一铜箔(41)；得到第三基板(B3)；

步骤5)、在所述第三基板(B3)的两个所述第一铜箔(41)表面上同时进行压膜、曝光、显影和蚀刻作业，以实现在两个所述第一铜箔(41)上同时制作出第二线路图形、以及多个第二对位靶标(410)，所述第二对位靶标(410)分布于所述第一铜箔(41)的边缘处，并还同时位于所述第一对位靶标(21)的内侧；随后去除所有干膜，得到第四基板(B4)；

步骤6)、分别在所述第四基板(B4)的正反两面上叠置一张第二绝缘层(5)，排版后进行第二次层压压合，层压过程中，两张所述第二绝缘层(5)的树脂流动并进行填充，以实现将两个所述第二线路图形、多个所述第二对位靶标(410)及多个所述第一对位靶标(21)密封包覆住；

层压压合后进行第二次镭射烧靶和第二次镭射开窗作业，其中，借由所述第二次镭射烧靶作业，能够使得多个所述第二对位靶标(410)均完全暴露于两张所述第二绝缘层(5)外；借由所述第二次镭射开窗作业，能够以所述第二对位靶标(410)作为对位基准在两张所述第二绝缘层(5)上均分别加工出多个第二窗口(50)，且同时两个所述第二线路图形还分别对应的局部露出于多个所述第二窗口(50)外；此时得到第五基板(B5)；

步骤7)、先利用化学沉铜技术分别在两张所述第二绝缘层(5)表面、及多个所述第二窗口(50)内壁上沉积一层第二种子层，然后再在所述第二种子层上进行电镀作业，以实现在每一所述第二窗口(50)中各加工出与所述第二线路图形相连接导通的第三铜柱(60)，以及实现在每一所述第二绝缘层(5)表面上各加工出一层与多个所述第三铜柱(60)相连接导通的第二铜箔(61)；得到第六基板(B6)；

步骤8)、在所述第六基板(B6)的两个所述第二铜箔(61)表面上同时进行压膜、曝光、显影和蚀刻作业，以实现在两个所述第二铜箔(61)上同时制作出第三线路图形、以及多个第三对位靶标(610)，所述第三对位靶标(610)分布于所述第二铜箔(61)的边缘处，并还同时位于所述第二对位靶标(410)的内侧；随后去除所有干膜，得到第七基板(B7)；

步骤9)、分别在所述第七基板(B7)的正反两面上叠置一张第三绝缘层(7)，排版后进行第三次层压压合，层压过程中，两张所述第三绝缘层(7)的树脂流动并进行填充，以实现将两个所述第三线路图形、多个所述第三对位靶标(610)及多个所述第二对位靶标(410)密封包覆住；

层压压合后进行第三次镭射烧靶和第三次镭射开窗作业，其中，借由所述第三次镭射烧靶作业，能够使得多个所述第三对位靶标(610)均完全暴露于两张所述第三绝缘层(7)外；借由所述第三次镭射开窗作业，能够以所述第三对位靶标(610)作为对位基准在两张所述第三绝缘层(7)上均分别加工出多个第三窗口(70)，且同时两个所述第三线路图形还分别对应的局部露出于多个所述第三窗口(70)外；此时得到第八基板(B8)；

步骤10)、先利用化学沉铜技术在两张所述第三绝缘层(7)表面、及多个所述第三窗口(70)内壁上分别沉积一层第三种子层，然后再在所述第三种子层上进行电镀作业，实现在每一所述第三窗口(70)中各加工出与所述第三线路图形相连接导通的第四铜柱(80)，以及实现在每一所述第三绝缘层(7)表面上各加工出一层与多个所述第四铜柱(80)相连接导通的第三铜箔(81)；得到第九基板(B9)；

步骤11)、在所述第九基板(B9)的两个所述第三铜箔(81)表面上同时进行压膜、曝光、显影和蚀刻作业，以实现在两个所述第三铜箔(81)上同时制作出第四线路图形；随后去除所有干膜，得到第十基板(B10)；

步骤12)、将所述第十基板(B10)分别沿两个所述超薄铜箔(111)与两个所述载体铜箔(110)的结合处进行分离，得到两张含有四层铜箔的加工板Ⅰ(B11)；

步骤13)、先对所述加工板Ⅰ(B11)进行减铜作业，以实现将所述超薄铜箔(111)去除，得到加工板Ⅱ(B12)；然后再对所述加工板Ⅱ(B12)依次进行常规的防焊、表面处理、成品测试工艺，完成后续所需的具有高线路对位精度的多层电路板的制作。