[发明专利]半导体装置封装和其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置封装，其包括：

低密度衬底；以及

高密度衬底，其附接到所述低密度衬底，所述高密度衬底包括第一互连层以及安置在所述第一互连层上方的第二互连层，

其中所述第一互连层的厚度不同于所述第二互连层的厚度。

2.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一互连层的所述厚度是所述第二互连层的所述厚度的至少两倍大。

3.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中通过所述第一互连层传输的信号的数据速率高于通过所述第二互连层传输的信号的数据速率。

4.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其进一步包括：

电子组件，其安置在所述高密度衬底上且电连接到所述高密度衬底；以及

封装体，其安置在所述高密度衬底上且覆盖所述电子组件。

5.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述高密度衬底进一步包括：

第一电介质层，所述第一互连层安置在所述第一电介质层上；以及

第二电介质层，所述第二互连层安置在所述第二电介质层上，所述第二所述第二电介质层覆盖所述第一互连层，

其中所述第二电介质层的厚度大于所述第一电介质层的厚度。

6.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述高密度衬底进一步包括邻近于所述第一互连层而安置的第一接地层、安置在所述第一互连层上方的第二接地层以及安置在所述第一互连层下的第三接地层。

7.根据权利要求6所述的半导体装置封装，其中所述第一接地层的厚度基本上等于所述第一互连层的所述厚度，且所述第二接地层或所述第三接地层的厚度基本上等于所述第二互连层的所述厚度。

8.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述高密度衬底通过粘着剂层附接到所述低密度衬底。

9.一种半导体装置封装，其包括：

低密度衬底；以及

高密度衬底，其附接到所述低密度衬底，所述高密度衬底包括：

第一电介质层；

第一互连层，其安置在所述第一电介质层上；

第二电介质层，其安置在所述第一电介质层上且覆盖所述第一互连层；以及

第二互连层，其安置在所述第二电介质层上，

其中所述第一电介质层的厚度不同于所述第二互连层的厚度。

10.根据权利要求9所述的半导体装置封装，其中所述第一互连层的厚度是所述第二互连层的厚度的至少两倍大。

11.根据权利要求10所述的半导体装置封装，其中通过所述第一互连层传输的信号的数据速率高于通过所述第二互连层传输的信号的数据速率。

12.根据权利要求10所述的半导体装置封装，其中所述高密度衬底进一步包括邻近于所述第一互连层而安置的第一接地层、安置在所述第一互连层上方的第二接地层以及安置在所述第一互连层下的第三接地层。

13.根据权利要求12所述的半导体装置封装，其中所述第一接地层的厚度基本上等于所述第一互连层的所述厚度，且所述第二接地层或所述第三接地层的厚度基本上等于所述第二互连层的所述厚度。

14.根据权利要求9所述的半导体装置封装，其进一步包括安置在所述高密度衬底上且电连接到所述高密度衬底的电子组件。