[发明专利]一种反熔丝电路在审
| 申请号： | 202010295612.3 | 申请日： | 2020-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN113540045A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 詹奕鹏;冯玲;许玉媛 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 朱艳 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 反熔丝 电路 | ||
1.一种反熔丝电路，其特征在于，其包括：
多个晶体管；
多个电容，其中两个所述晶体管及一个所述电容串联构成一反熔丝单元，多个所述反熔丝单元形成一反熔丝阵列；
限流晶体管，其一端串联于所述反熔丝阵列的一端与所述电容连接；
控制电路，连接所述限流晶体管的另一端。
2.根据权利要求1所述的反熔丝电路，其特征在于，所述限流晶体管的阻值介于100欧姆至10000欧姆之间。
3.根据权利要求1所述的反熔丝电路，其特征在于，所述限流晶体管包括输入输出金属氧化物半导体晶体管。
4.根据权利要求1所述的反熔丝电路，其特征在于，所述限流晶体管包括核心金属氧化物半导体晶体管。
5.根据权利要求1所述的反熔丝电路，其特征在于，所述限流晶体管包括双扩散金属氧化物半导体晶体管。
6.根据权利要求1所述的反熔丝电路，其特征在于，所述限流晶体管包括N型金属氧化物半导体晶体管或P型金属氧化物半导体晶体管。
7.根据权利要求1所述的反熔丝电路，其特征在于，所述反熔丝阵列至少包括两个所述反熔丝单元。
8.根据权利要求1所述的反熔丝电路，其特征在于，所述反熔丝单元至少包括一个所述电容。
9.根据权利要求1所述的反熔丝电路，其特征在于，所述反熔丝单元至少包括一个所述晶体管。
10.根据权利要求1所述的反熔丝电路，其特征在于，所述反熔丝电路至少包括一个所述限流晶体管。
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