[发明专利]一种反熔丝电路

说明书

本发明是涉及一种反熔丝电路。此反熔丝电路包括：多个晶体管；多个电容，其中两个所述晶体管及一个所述电容串联构成一反熔丝单元，多个所述反熔丝单元形成一反熔丝阵列；限流晶体管，其一端串联于所述反熔丝阵列的一端与所述电容连接；控制电路，连接所述限流晶体管的另一端。本发明解决了传统反熔丝电路中多存在冗余字节(tail bit)过多及电流分布不稳定等问题。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，特别是涉及一种反熔丝电路。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，反熔丝(Anti-fuse)技术已经吸引了很多发明者、IC设计者和制造商的显著关注。反熔丝是可改变导电状态的结构，或者换句话说，反熔丝是从不导电状态改变为导电状态的电子器件。等同地，二元状态可以是响应于电应力(如编程电压或编程电流)的高电阻和低电阻中的任一种。反熔丝器件可以被布置在存储阵列中，由此形成普遍公知的一次可编程(One Time Programable，OTP)存储器。

反熔丝的可编程芯片技术提供了晶体管之间的稳定导电路径，相对于常规的保险丝的熔链接方法来说，反熔丝技术通过分裂导电路径断开一个导电电路，反熔丝通过生成一个导电通道来闭合电路。利用反熔丝的导通与否，可以实现选择性地将控制电路的部分连接在一起，从而可以将先前未连接的器件使用到控制电路中；还可以利用反熔丝的导通与否实现信息存储，反熔丝作为一种新型的存储结构，与传统CMOS结构存储器相比，它可以提供一种高电路密度、低功耗、非易失性编程和高可靠性、高寿命的组合；反熔丝还可以提供用于进行逻辑操作的不同的电阻值。

然而，现存的反熔丝电路多存在冗余字节(tailbit)过多及电流分布不稳定等问题，本发明提供一种反熔丝电路，以解决上述技术问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种反熔丝电路，解决了现有技术冗余字节过多及电流分布不稳定的技术问题。

为解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现：

本发明提供一种反熔丝电路，其包括：

多个晶体管；

多个电容，其中两个所述晶体管及一个所述电容串联构成一反熔丝单元，多个所述反熔丝单元形成一反熔丝阵列；

限流晶体管，其一端串联于所述反熔丝阵列的一端与所述电容连接；

控制电路，连接所述限流晶体管的另一端。

在本发明的一个实施例中，晶体管的数量不少于两个。

在本发明的一个实施例中，所述限流晶体管包括输入输出金属氧化物半导体(I/OMOS)晶体管。

在本发明的一个实施例中，所述限流晶体管包括核心金属氧化物半导体(coreMOS)晶体管。

在本发明的一个实施例中，所述限流晶体管包括双扩散金属氧化物半导体晶体管(DMOS)。

在本发明的一个实施例中，所述限流晶体管包括N型金属氧化物半导体晶体管或P型金属氧化物半导体晶体管。

在本发明的一个实施例中，所述反熔丝单元包括两个晶体管及一个电容。

在本发明的一个实施例中，所述反熔丝阵列至少包括两个所述反熔丝单元。

在本发明的一个实施例中，所述反熔丝阵列具有连接所述反熔丝单元的多条第一方向的连接线和多条第二方向的连接线。

在本发明的一个实施例中，所述限流晶体管的阻值介于100欧姆至10000欧姆之间。

在本发明的一个实施例中，所述控制电路为trim电路。

在本发明的一个实施例中，所述控制电路配置为控制所述限流晶体管的电路。