[发明专利]阵列基板及其制造方法

说明书

一种阵列基板及其制造方法。阵列基板的制造方法包括用单一掩膜形成有源层于晶体管区的绝缘层上、形成第二导电层于导线区的绝缘层上、以及形成第一开孔穿透第二导电层及绝缘层，第一开孔外露第一导电层。本发明的阵列基板采用单一掩膜，即可先后形成有源层及第一开孔，而无须两道掩膜，因此可以节省掩膜费用，从而降低制造成本，并可避免非晶硅尾纤的形成。

【技术领域】

本发明涉及薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，TFT LCD)技术领域；更具体地讲，涉及一种TFT LCD阵列基板及其制造方法。

【背景技术】

现有技术的TFT LCD阵列基板的制造方法中，较常见的是4次掩膜(4Mask)技术，图1A至图1D是采用4次掩膜技术制作阵列基板的局部示意图。如图1A所示，在绝缘层12上形成非晶硅层14、铜层16及光阻18，并经过第一次湿蚀刻以移除部份铜层16使得铜层16向内缩，以及第一次干蚀刻移除部份非晶硅层14。然后，如图1B所示，移除部份光阻18，此时铜层16及非晶硅层14外露于光阻18之外。接着，如图1C所示，针对铜层16进行第二次湿蚀刻，使铜层16缩小至所需图案的预定尺寸。最后，如图1D所示，以光阻18作为遮蔽，对非晶硅层14进行第二次干蚀刻，然后移除光阻18。这种先于非晶硅层14上形成铜层16，接着在铜层16上形成光阻18，再以光阻18作为遮蔽的制法，所形成的非晶硅尾纤(amorphous silicon tail,a-Si tail或AS tail)141较大，另一方面，上述方法会使沟道部分的长度(L)较长，在沟道宽长比(W/L)必须保持一致的前提下，会导致沟道宽度(W)随之增加，从而对实现侧窄边框的设计较为困难。

【发明内容】

为解决上述技术问题，本发明的一目的在于提供一种阵列基板及其制造方法，可减少掩膜数量，降低制造成本，并且可缩减AS tail，从而使实现侧窄边框的设计较为容易。

为达成上述目的，本发明提供一种阵列基板的制造方法，包括以下步骤:步骤S10：提供基底，所述基底具有晶体管区及导线区；步骤S20：形成栅极电极于所述基底的所述晶体管区中、以及形成第一导电层于所述基底的所述导线区中；步骤S30：形成绝缘层覆盖所述栅极电极及所述第一导电层；步骤S40：用单一掩膜形成有源层于所述晶体管区的所述绝缘层上、形成第二导电层于所述导线区的所述绝缘层上、以及形成第一开孔穿透所述第二导电层及所述绝缘层，所述第一开孔外露所述第一导电层；步骤S50：用相异于所述单一掩膜的另一掩膜形成第一连线、第三导电层和源极/漏极，所述第一连线形成于所述第一开孔中，所述第三导电层形成于所述第一连线及所述第二导电层上，所述源极/漏极形成于所述有源层上；步骤S60：形成第一保护层覆盖所述源极/漏极及所述第三导电层；步骤S70：形成第二保护层于所述第一保护层上、以及形成第二开孔穿透所述第二保护层及所述第一保护层，所述第二开孔外露所述漏极；以及步骤S80：形成第二连线于第二开孔中、以及形成像素电极于所述第二连线及所述第二保护层上。

于一实施例中，更包括形成彩色滤光层于所述第一保护层上。

于一实施例中，步骤S40包括：步骤S41：形成半导体层于所述绝缘层上、以及形成光阻层于所述半导体层上；步骤S42：以所述单一掩膜图案化所述光阻层，以形成不同厚度的第一光阻层及第二光阻层，其中所述第一光阻层的厚度大于所述第二光阻层的厚度，所述第二光阻层位于所述导线区中；步骤S43：移除-未被所述第一光阻层及所述第二光阻层覆盖的所述半导体层，以形成所述有源层于所述晶体管区的所述绝缘层上，以及形成所述第二导电层于所述导线区的所述绝缘层上；步骤S44：移除降低所述第一光阻层及所述第二光阻层的厚度至完全移除所述第二光阻层；步骤S45：移除所述导线区中，未被所述第一光阻层覆盖的所述第二导电层及所述绝缘层，以形成所述第一开孔；以及步骤S46：移除所述第一光阻层。

于一实施例中，步骤S42的所述单一掩膜包括半色调掩膜(half tone mask)以形成所述第一光阻层及所述第二光阻层。