[发明专利]发光二极管封装结构

权利要求书

1.一种发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光二极管封装结构包括：

一基板；

至少一发光二极管，其设置于所述基板上；

一侧墙，其设置于所述基板上并具有一贯孔，且至少一所述发光二极管容置于所述贯孔中；

一封装体，其填充所述贯孔并覆盖至少一所述发光二极管，其中，所述封装体与所述侧墙之间具有一异质接面；以及

一防水保护涂层，其密封所述异质接面；

其中，所述封装体的材料包括一第一氟系聚合物，所述防水保护涂层的材料包括一第二氟系聚合物，且所述第一氟系聚合物的光穿透率高于所述第二氟系聚合物的光穿透率。

2.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，至少一所述发光二极管发出的光波长范围为200nm至400nm。

3.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述第一氟系聚合物于波长范围265至285nm的光穿透率大于90％；且所述第二氟系聚合物于波长范围于265至285nm的光穿透率介于85％至90％之间。

4.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述第一氟系聚合物具有以下结构：

CF₃-(CF₂＝CFCF₂CF₂-O-CF＝CF₂)_n-CF₃；

其中，n为介于25至3×10⁵的正整数。

5.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述第二氟系聚合物具有以下结构：

COOH-(CF₂＝CFCF₂CF₂-O-CF＝CF₂)_m-COOH；

其中，m为介于18至1.5×10⁵的正整数。

6.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述侧墙具有一远离所述基板的第一表面、一接近所述基板的第二表面，以及一连接于所述第一表面与所述第二表面之间内表面；其中，所述第一表面高于所述至少一发光二极管。

7.根据权利要求6所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述封装体具有一拱顶部，突设于所述第一表面。

8.根据权利要求7所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述防水保护涂层覆盖部分所述拱顶部，并暴露出另一部分的所述拱顶部。

9.根据权利要求8所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述拱顶部具有第一部及第二部，所述防水保护涂层环绕所述第二部并暴露出所述第一部。

10.根据权利要求6所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述的发光二极管封装结构还进一步包括一金属反射层，其设置于所述侧墙的所述内表面。

11.根据权利要求10所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述金属反射层延伸至所述第一表面。

12.根据权利要求10所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述封装体具有一中央区域以及一围绕所述中央区域的周边区域，所述防水保护涂层覆盖所述金属反射层，且通过所述异质接面延伸至所述周边区域上。

13.根据权利要求10所述的发光二极管封装结构，其特征在于，至少一所述发光二极管发出的光入射所述防水保护涂层，并被所述防水保护涂层反射至所述金属反射层。

14.根据权利要求10所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述的发光二极管封装结构还进一步包括一抗氧化层，其设置于所述金属反射层上。