[发明专利]发光二极管封装结构

说明书

本发明公开一种发光二极管封装结构，其包括：基板、发光二极管、侧墙、封装体以及防水保护涂层。发光二极管设置于基板上，侧墙设置于基板上并具有贯孔，发光二极管容置于贯孔中。封装体填充贯孔并覆盖发光二极管，封装体与侧墙之间具有异质接面，防水保护涂层密封异质接面。更进一步地，封装体的材料包括第一氟系聚合物，防水保护涂层的材料包括第二氟系聚合物，且第一氟系聚合物的光穿透率高于第二氟系聚合物的光穿透率。本发明的发光二极管封装结构有效改良了封装胶与侧墙之间水气渗透造成耗损的问题，更借此提高了发光功率。

技术领域

本发明涉及一种发光二极管封装结构，特别是涉及一种具有侧墙的发光二极管封装结构。

背景技术

发光二极管(LED)技术的日益进步，配合相关周边集成电路控制组件及散热技术的日渐成熟，使得LED的应用逐渐多元化。

现有技术的发光二极管封装结构包括一石英盖体，然而，石英盖体的折射率(Refractive index，n)为1.45、空气的折射率为1，与发光二极管仍有折射率不匹配的情况，从而造成全反射以及吸收的功率损耗约12至15％。现有技术的另一种发光二极管封装结构包括一硅胶成型的封装体，然而，传统的硅胶封装体于紫外光波段照射下易产生裂纹而降低信赖性，因此，不适用于高温高湿的环境，且其于UV波段穿透率不佳，例如在275nm时穿透率大约降低55％。

鉴于上述原因，如何通过结构设计以及材料选用的改良，克服前述缺陷，并维持或提高发光功率，已成为该项事业所欲解决的重要课题之一。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种具有防水保护涂层的发光二极管封装结构。

为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是提供一种发光二极管封装结构，其包括：一基板、至少一发光二极管、一侧墙、一封装体以及一防水保护涂层。其中，所述至少一发光二极管设置于所述基板上；所述侧墙设置于所述基板上并具有一贯孔，所述至少一发光二极管容置于所述贯孔中；所述封装体填充所述贯孔并覆盖所述至少一发光二极管，其中，所述封装体与所述侧墙之间具有一异质接面，所述防水保护涂层密封所述异质接面。更进一步地，所述封装体的材料包括一第一氟系聚合物，所述防水保护涂层的材料包括一第二氟系聚合物，且所述第一氟系聚合物的光穿透率高于所述第二氟系聚合物

优选地，所述至少一发光二极管发出的光波长范围为200nm至400nm。

优选地，所述第一氟系聚合物在波长范围265nm至285nm的光穿透率大于90％；且所述第二氟系聚合物在波长范围265nm至285nm的光穿透率介于85％至90％之间。

优选地，所述第一氟系聚合物具有以下结构：CF₃-(CF₂＝CFCF₂CF₂-O-CF＝CF₂)_n-CF₃；其中，n为介于25至3×10⁵的正整数。

优选地，所述第二氟系聚合物具有以下结构：COOH-(CF₂＝CFCF₂CF₂-O-CF＝CF₂)_m-COOH；其中，m为介于18至1.5×10⁵的正整数。

优选地，所述贯孔的孔径范围沿着一远离基板的方向渐增。

优选地，所述侧墙具有一远离所述基板的第一表面、一接近所述基板的第二表面以及一连接所述第一表面与所述第二表面的内表面；其中，所述第一表面高于所述至少一发光二极管。

优选地，所述封装体具有一拱顶部，突设于所述第一表面。