[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 202010298561.X | 申请日： | 2020-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN111416051B | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 苏文明;谢黎明;刘扬 | 申请（专利权）人： | 苏州欧谱科显示科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/00 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 赖婉婷 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张家港*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 量子 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
1.一种量子点发光二极管，包括由空穴传输层I和空穴传输层II依次设置组成的双空穴传输层，所述空穴传输层I采用材料的HOMO能级不同于所述空穴传输层II采用材料的HOMO能级，其特征在于：所述空穴传输层I采用的材料为第一空穴传输材料，所述第一空穴传输材料包括分子结构中具有以苯乙烯为热交联基团的第一化合物，可通过加热交联；所述空穴传输层II采用的材料为第二空穴传输材料，所述第二空穴传输材料包括分子结构中具有以苯乙烯为热交联基团的第二化合物，可通过加热交联；
所述第一化合物为化合物1～9中的一种或几种；
2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于：所述第一空穴传输材料为浅HOMO能级的材料，所述浅HOMO能级指的是HOMO能级在-5.3～-5.6eV。
3.根据权利要求1或2所述的量子点发光二极管，其特征在于：所述第一空穴传输材料还包括聚合物TFB、聚合物Poly-TPD、聚合物TAA中的一种或几种，
4.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于：所述第二空穴传输材料为深HOMO能级的材料，所述深HOMO能级指的是HOMO能级在-5.7～-6.2eV。
5.根据权利要求1或4所述的量子点发光二极管，其特征在于：所述第二化合物为化合物12～15中的一种或几种，
6.根据权利要求1或4所述的量子点发光二极管，其特征在于：所述第二空穴传输材料还包括化合物PVK，
7.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于：所述空穴传输层I由所述第一空穴传输材料成膜后加热至交联后形成；所述空穴传输层II由所述第二空穴传输材料成膜后加热至交联后形成。
8.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于：所述量子点发光二管包括依次设置的阳极、空穴注入层、所述双空穴传输层、量子点发光层、电子传输/注入层及阴极，其中，所述空穴传输层I位于所述空穴注入层和空穴传输层II之间，所述空穴传输层II位于所述空穴传输层I和量子点发光层之间。
9.权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于：所述制备方法包括以下步骤：
(1)在阳极上沉积空穴注入层；
(2)在所述空穴注入层上通过溶液法制备第一薄膜，将所述第一薄膜加热进行交联形成空穴传输层I；
(3)在所述空穴传输层I上通过溶液法制备第二薄膜，将所述第二薄膜加热进行交联形成空穴传输层II；
(4)在所述空穴传输层II上沉积量子点发光层；
(5)在所述量子点发光层上沉积电子传输/注入层；
(6)在所述电子传输/注入层上沉积阴极。
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